反向还原工程厂商Chipworks公司近日宣布，分析了三星电子最新的S5K3BAF 2 Mp CMOS影像感测器(CIS)模组。这是Chipworks首次发现运用了130纳米铜制程的CIS技术。图像阵列的'De-Metallized Zone' (DMZ)结构消除了反射耐蚀层，促进了光学效率。

Chipworks技术情报部经理Gary Tomkins先生表示：“三星电子这套整合方案十分巧妙，把介电堆迭的图像阵列电介质进行解耦。它容许了外部电路更多金属的应用，保证了更高质素的电晶体整合及系统性能。除此之外，130纳米铜制程允许应用MIM(金属-绝缘体-金属)电容器，以及主动像素感测器(APS)较低的厚度结构，因此改善了在较低图素下的光学性能，为一项杰出技术。”

Chipworks高级技术分析师Dick James先生表示：“三星电子于300纳米铜线上组装了此技术，显著降低晶片成本，与此同时，亦改良了较细晶粒的性能。三星电子新一代的崭新制程大有可能赢得更多设计大奖，有趣的是，当成本降低及性能提升，会否吸引其他竞争对手如东芝、Micron、台积公司及联华电子采用此技术，把CIS组装到铜线。”