最近，想用薄膜电容当作磁阻炮的储能元件，替代传统的铝电解电容，感觉效率能做挺高的，甚至有希望达到20%，设想如下:

当电容、线圈、电阻和开关构成上图的电路，给电容储存一定的能量后，闭合开关S，然后电路上就会出现这样的放电情况:

特别地，如果储能电容是铝电解电容，放电就不会是这种情况，原因是铝电解电容不允许反压。而这种现象叫做零输入（无输入）的RCL谐振（其实也就是RCL震荡放电）。

如果线圈没有对外做功，波形与横轴的交点间距是一定的，如上图，2t为一个谐振周期。

当在0--t/2时间时，电容放电而电感（线圈）在充电，电感把电能转化为磁场能暂存越来。

当到t/2时，电容电压为零，而电感电流达到峰值。

当t/2--t时。电感反过来给电容充电，此时电容出现反压。

当到t时，电容反压达到最高。

……如此周而复始下去……

上面的电路图中，因为S是双向导电的，所以电路会一直发生谐振，直到电路上的能量被电阻耗尽为止。

而从上面的现象也该了解到。电容电压在0时刻时电压最高，而在t时刻又出现一个反压的最大值，此时电路上电流为零，是电流由正向变反向的临界点。从电容电压为零开始，到反压最高，仔细想一下，其实这就是一个电容把线圈的电磁能回收的现象。就是所谓的能量回收，这个就是今天所谈论话题的重点。为什么会想到用薄膜作储能元件。

那么如果想把这个电路应用在磁阻炮上。那该怎么去用呢？就想方设法让电流为零，电容为最高负压时中止谐振。

嗯……想想？

用igbt可以？是可以开也可以关的器件。但，今天主角不是它。因为薄膜电容耐压普遍比较高，igbt耐压是个问题，而使用薄膜电容的电路上的电流也很容易做挺大。所以igbt会吃不消，不是最佳选择。

而我选择常见的可控硅充当开关。它会发生怎么样的情况？

嗯？但印象里可控硅能开不能关呀？怎么让谐振中止？

对于这些问题，比较有意思的是，先注意一下可控硅的符号:

像二极管不？就多了条尾巴。为什么电气工程上会把可控硅的符号画得这么像二极管呢？原因是，它也有像二极管一样的单向导电的特性，加上可以控制，所以多了条尾巴。

把它替换开关S后，由于单向导电性，谐振电路的工作就会停止在t时刻。

再留意一下可控硅70tps16的关断条件:

1. Ikg=0、Uka＜0（k极与g极之间电流为零，K与A之间为反压）（注意:是可控硅KA极的反压，不是电容的反压）

2. Ikg=0、Ika＜200mA（k极与g极之间电流为零，k与a之间电流小于维持电流）

可控硅有KAG三极（分别是阴极、阳极、触发极），可控硅的导通并不需要Ikg来维持，对于70tps16只需要100ma 10us的脉冲即可。

在t时间上，发现这两个条件都满足（只需满足其中条件之一即可），所以可控硅在工程上多用作整流桥器件就是这个原因。

上今天所论述的电路图，重点:

一个电容给两个线圈供电，把从第一个线圈回收到的能量给第二个线圈用，并让电容的余压回到正压。为下一次zvs充电带来方便。这也是为什么说这个电路做磁阻的主功率回路效率高的原因。