总觉得这种不缺功率的半桥混合igbt拓补结构给感应炮用或许可以。
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二路半桥式拓扑尝试
衔接上次，我还是意识到那个拓扑关断太慢的原因是回收压差为0，觉得还是半桥比较可行。
半桥自带续流管，所以这次简单的把半桥中间的那个线圈换成了一排scr和线圈，这样回路中就有3个管，不妨就把scr叫作中管。
半桥驱动用这个常用的电路，但现在行不通。上管没有动作。将中管短路，上下管又能正常通断；将光耦高压输入端连到虚地端，上下管也能工作但是电流很小，中管没有触发，电流全部由g极到k极。
按说上管和中管的g极电荷都是相互隔离的，这样浮置电容应该不受影响才对，但现在并非如此。在正确的驱动摸索出来前都只能偶尔触发，这可不行，驱动方案必须大改。
这个自举电容虽然起到悬浮作用，但并不隔离，所以用隔离电源模块效果会更好。奇怪的是，使用单片机将817和2110同时触发的话，电路中各个信号都正常，上管Vge甚至都有15v，只有中管没触发。改成手动，发现scr信号必须比半桥的早才可以触发，只需要在程序里延迟20μs就行，不过没试几次又不动了。scr由电流触发，没反应只能是电流不够。于是干脆就把驱动电阻由100Ω改为2Ω，直连scr可以触发了，但是通过817就不行。看来触发电流还是不够，因为817输出只有1A。光耦换成tlp363，然后就一定能够触发了，直到190v也能用，也能关断。但半桥必须两个管同时关断才有意义，试射时弹速远达不到预期，而且能量消耗很大，看来上管没有正常关断。之前普通半桥也是这样，不过用的是上图的驱动。
下面是测试完毕的电路图，但上管驱动仍有待改进。
VID_20220814_080934.mp4 点击下载
其实图2自举电容完全没问题，兜一圈又回来了，现在上管可以关断。由于没想到scr触发电流很大，所以只是临时弄了1个光耦。
单级开启时间设定为257*6.5=1670.5us，线径0.55共420匝。没想到的是，实际表现高于预期，从190v到178v，输出1.05j，效率高达8.6%！模拟器中饱和磁感设为1.65t达不到这效果，实际至少1.8t以上
剩下的就只有重做一个驱动板了。理论上，这根14级的炮管虽然可能达不到100m/s，但总效率大概能达到14%
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这个拓扑不能用自举电容，半桥只开关一次还好第二次必炸。所以每个上管都各自用了隔离电源。
打印的隔板就算加铜柱还是不够硬，于是我加了铁片。对于关断炮来说线圈弄成不一样长似乎不是明智之举，所以这次全部弄成18mm长。受一些言论的启发，用更粗的线多绕两层能获得更大的电感，代价是需要更长时间的激励，所以又增加了线圈的间距。想想看，8mm口径绕了8层是不是有点多！绕完线圈之后再次测量计算，从理论上说可以得到相同的速度并减少20%消耗，14级的最大速度大概只有105。
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