假硅,真的70tps系列是无孔的Super-247封装
咳咳,先不谈硅。咱就是说,你这装弹弹丸位置离线圈也忒远了
不是应该先计算峰值电流,电流上升率等参数,再对比元器件极限参数吗
你这个电容和线圈看起来都没有很离谱。峰值功率,电流上升率肯定比网上的套件小。
我做磁阻的时候用的也是假硅,三块五一个。发射了几十次一点问题没出过。
应该都是热损坏 处理了不能处理的能量
建议有条件每试射一次 就测一次器件是否损坏
我怀疑先是续流二极管损坏 然后导致下次发射时 可控硅等于直接给电容放电 导致热损坏
而续流二极管损坏的原因是线圈蓄能太大 而且仅使用一个续流二极管并联 使得线圈蓄能几乎完全释放到了二极管那 导致热损坏
正确的做法应该是在续流二极管上串联一组并联的电阻电容 使得能量更多通过电阻消耗
也可以考虑减少线圈匝数 使得蓄能更少 最好相应减少电压和电容容量
此类电路完全靠器件极限性能撑过去 又不去计算会遇到的极限情况 就没有意思了
感谢各位解答,刚才又试了一下,应该是二极管先坏了,又导致可控硅坏掉.....我再去搞搞
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