应该都是热损坏 处理了不能处理的能量

建议有条件每试射一次 就测一次器件是否损坏

我怀疑先是续流二极管损坏 然后导致下次发射时  可控硅等于直接给电容放电 导致热损坏

而续流二极管损坏的原因是线圈蓄能太大 而且仅使用一个续流二极管并联 使得线圈蓄能几乎完全释放到了二极管那 导致热损坏

正确的做法应该是在续流二极管上串联一组并联的电阻电容 使得能量更多通过电阻消耗

也可以考虑减少线圈匝数 使得蓄能更少 最好相应减少电压和电容容量

此类电路完全靠器件极限性能撑过去 又不去计算会遇到的极限情况 就没有意思了