GS间击穿考虑保护栅极，TVS管要尽可能靠近MOSFET放置，检查GDT绝缘强度（有条件可以拿摇表摇下），三层绝缘线绕制GDT是个不错的选择。
考虑EMC问题，功率侧MOSFET散热片和MOS间垫好绝缘片，散热片接大地，C12正极和负极对大地各接一0.1uF/2kV的电容。

如果是栅级过压击穿，还要注意回路电阻及其导致的电位差，最好拍个图片看看制作工艺。

@ry7740kptv @虎哥
感谢ry7740kptv老兄和虎哥的回复，本想开两层楼对2人的建议各个细说，但编辑时发现分开说会有重复的部分，因此把情况说明合并在一起了
先上图，pcb布板如下，
图中左上角hq2为下桥臂FET，水平放置的hd4为220Vac，竖直放置的hd8为12V 双向tvs管，hd6为栅极电阻并联二极管。
图中右上角hq1为上桥臂FET，水平放置的hd3为220Vac，水平放置的hd7为12V 双向tvs管，hd5为栅极电阻并联二极管。
调试时发现，2个样机均为左上角FET击穿的更频繁。和右下角的击穿率相比，差不多是5：1。
最初怀疑是天线反馈的问题，采用磁环反馈后，仍出现击穿现象。

实物图如下，12V tvs管放在背面了。


1、TVS管要尽可能靠近MOSFET放置
12V tvs管距离fet稍远，回头我将他直接焊在fet 栅源两极之间，再测试一下。
2、检查GDT绝缘强度（有条件可以拿摇表摇下）
我的GDT是用漆包线绕的。不知GDT绝缘强度对电路会有什么影响呢，请指点。
另外，不知如何测GDT绝缘强度，是测相间还是测对地，是板下测还是板上测；摇表L、E、G三个接线柱如何连接。
回头找机会试试三层绝缘线。
3、EMC问题就比较麻烦了，很难测试。
功率侧MOSFET散热片和MOS间绝缘片已加，但散热片未接大地，目前处于悬空状态，不知会不会有不良影响。
大地未引入PCB，而是直接在空中与次级线圈相接。
将大地接入pcb，会不会引入次级高压，对运行造成不良影响，有点担心。弱弱的问一下，大地有必要接入pcb板么？
4、关于0.1uf 2KV电容，是使用高压瓷片电容么?
5、虎哥说的回路电阻是指连接GDT后，栅源之间的电阻么？万用表实测5.7欧

应该是半桥shoot through，逐渐损坏的

GDT作为变压器关心的是绕组间的绝缘强度，在绕组间施加耐压测试看有无击穿现象。
既然接入大地就意味着电位被拉至0V，所以必须保证接地的有效性，不放心可以把次级线圈的接地单独接到水管或暖气片等地方，其他的接市电保护地。弱电部分地不需要接入大地，可适当做屏蔽措施。
0.1uF电容只为了旁路干扰，只要是容量和耐压达标的电容即可。

@3DA502 感谢3DA502 老兄的回复！
半桥shoot through，这个好专业。平时测试时，手边只有一个便携示波器，高压部分工作时，如果把示波器接入电路，示波器控制软件便会死机，无法检测两路fet的驱动信号。回头到单位测一下。
如果是半桥shoot through问题该如何改进呢？

@ry7740kptv 感谢ry7740kptv 老兄的多次回复！
最近在外面出差，回去后把EMC措施都加上，再进行一下测试。

砸开损坏的MOS看硅片，坏点很小几乎看不见的GS过压可能性较大，反之如有明显很大的烧灼黑点则直通的可能性大

@dadodo 感谢dadodo 老兄的热心回复，为我提供了一个新的问题定位手段。
请问，直通具体是指什么？

直通就是楼上说的shoot through的意思