@ry7740kptv @虎哥 感谢ry7740kptv老兄和虎哥的回复,本想开两层楼对2人的建议各个细说,但编辑时发现分开说会有重复的部分,因此把情况说明合并在一起了
先上图,pcb布板如下,
图中左上角hq2为下桥臂FET,水平放置的hd4为220Vac,竖直放置的hd8为12V 双向tvs管,hd6为栅极电阻并联二极管。
图中右上角hq1为上桥臂FET,水平放置的hd3为220Vac,水平放置的hd7为12V 双向tvs管,hd5为栅极电阻并联二极管。
调试时发现,2个样机均为左上角FET击穿的更频繁。和右下角的击穿率相比,差不多是5:1。
最初怀疑是天线反馈的问题,采用磁环反馈后,仍出现击穿现象。
实物图如下,12V tvs管放在背面了。
1、TVS管要尽可能靠近MOSFET放置
12V tvs管距离fet稍远,回头我将他直接焊在fet 栅源两极之间,再测试一下。
2、检查GDT绝缘强度(有条件可以拿摇表摇下)
我的GDT是用漆包线绕的。不知GDT绝缘强度对电路会有什么影响呢,请指点。
另外,不知如何测GDT绝缘强度,是测相间还是测对地,是板下测还是板上测;摇表L、E、G三个接线柱如何连接。
回头找机会试试三层绝缘线。
3、EMC问题就比较麻烦了,很难测试。
功率侧MOSFET散热片和MOS间绝缘片已加,但散热片未接大地,目前处于悬空状态,不知会不会有不良影响。
大地未引入PCB,而是直接在空中与次级线圈相接。
将大地接入pcb,会不会引入次级高压,对运行造成不良影响,有点担心。弱弱的问一下,大地有必要接入pcb板么?
4、关于0.1uf 2KV电容,是使用高压瓷片电容么?
5、虎哥说的回路电阻是指连接GDT后,栅源之间的电阻么?万用表实测5.7欧