引用 御坂10086:
仿真软件里线圈阻抗感抗不用填，只要填线圈的尺寸参数那些就会自动生成。
线圈长度最好和弹丸一致，线圈匝数不要太多不要太少就行，模拟器跑个差不多的不超出开关器件承受能力就行。
固定的线圈、电容参数存在一个光点开启的最佳位置，先搞第一级，用不同的...

引用 小东马驹:
有一点现在有点问题，就是比如说，我缠绕圈数填写200圈，铜线直径1mm，长度为6，他给出每层缠绕57圈，但是我自己手工做下来每层肯定不会这么多，也就是没有模拟器缠绕得这么紧，这会使得层数变多，会不会因此产生较大的误差。

引用 22X220:
按你子弹6克,可控硅大于50A算了一下.




第1级2个1000uF+1个470uF.



第2级1个1000+1个470



第3级剩余电容





动能不小啊.但是你帖子又说子弹长4cm,...

引用 22X220:
按你子弹6克,可控硅大于50A算了一下.




第1级2个1000uF+1个470uF.



第2级1个1000+1个470



第3级剩余电容





动能不小啊.但是你帖子又说子弹长4cm,...

引用 御坂10086:
仿真软件里线圈阻抗感抗不用填，只要填线圈的尺寸参数那些就会自动生成。
线圈长度最好和弹丸一致，线圈匝数不要太多不要太少就行，模拟器跑个差不多的不超出开关器件承受能力就行。
固定的线圈、电容参数存在一个光点开启的最佳位置，先搞第一级，用不同的...

引用 小东马驹:
还有就是您说光电开关的位置怎么设置？

引用 三水合番:
模拟器里的 涂层厚度 的默认值偏小，没记错的话是25um,然而实际上就我买过的漆包线而言从0.3mm到1mm，都是约50um……另外模拟器计算线圈参数的时候没有考虑到圆线可以紧密堆积……

引用 小东马驹:
我用的可控硅是70tps12，快恢复二极管用的是三个fr307 您说如果第一级用这么大的电容，会不会电路受不了啊

引用 22X220:
根据我的实验证明;完全没问题.当然了,并一个更好,还有,fr307一击穿,可控硅必定坏,

引用 小东马驹:
我是每级并联3个fr307 ，现在就是不太清楚为啥要并联这个fr307，您能给讲讲吗

引用 22X220:
防止线圈产生反向电压击穿可控硅,但是你1200V的可控硅有网友实验过是可以不要这个2极管的.

引用 小东马驹:
您说的光电的位置就是炮弹的初始位置吗？我在网上看光电有一个反应速度，会因此产生延时，会不会因此产生较大的误差

引用 小东马驹:
哦哦，按照咱们这个2470uf的也可以不要这个2级管吗？还有就是线圈产生反向电压是因为最初产生的大的感应磁场，根据楞次定律，会产生反向的阻止它增大的反向感应电动势吗？

引用 22X220:
防止线圈产生反向电压击穿可控硅,但是你1200V的可控硅有网友实验过是可以不要这个2极管的.

引用 三水合番:
线圈怎么会会产生反压？常见的磁阻式里可控硅在电流为零时关断，电流为零时线圈怎么会产生能击穿可控硅的电压？不加二极管电解电容怎么想……
线圈并联二极管的目的是为了防止线圈给电容反向充电，也可以改成线圈不并二极管，在电容两端并二极管，这样还不...

引用 22X220:
什么?可控硅在电流为零时关断?既然可控硅在电流为零时关断,不会产生反向电压,没反向电压那里来的反向电流?



请看看这电路图吧,解释一下R2和C3的作用.

引用 三水合番:
好吧，不是电流为零时关断，是小于维持电流时关断。
没有理解第一段末 反向电流 的意思，是指和线圈并联的二极管给线圈续流的时候产生的电流吗？
图里R2 C3的作用根据我的理解是，防止可控硅在电流接近零时关断之后，两端电压上升率过高导致关断失败...

引用 22X220:
不说电流了,那电路图的正确答案是;防止可控硅在电流接近零时关断之后,两端电压上升过高导致可控硅击穿损坏.我有被电感反向电压击穿可控硅和场效应管二十多个的经历.

引用 三水合番:
Don't be so sure...
你可以了解一下 snubberless triac 因为它可以在更高的dV/dt下关断，所以通常可以省略rc缓冲。
下面是st的一篇相关文章（手机发不了附件，就发链接了）
http://pdf....