引用 1211:
具体理论依据不能省啊，这个帖子再补充点理论分析就可以加学分了。

理论依据啊.....我这个电路结构都是基础的不能再基础的东西，感觉都没什么说的啊。。。
而且最终的精度与使用效果也有些不尽人意的地方，这样都还要我解析原理的话我感觉很不好意思啊，干脆还是当作一个图帖来发好了[s:55]

引用 GB913759593:
为什么钳表能测直流电？？？？

恩？哈哈这个是交直流钳表，型号UT203，是用霍尔来测量电流的

好了现在继续更新，现在要搞的就是MCU程序了


使用的编程软件是IAR for STM8





设定一下选项字节AFR0
因为STM8在默认情况下，PC5、PC6、PC7三只脚是用作SPI功能的，这样的话我的PWM路数就不够用了（我一共要用6路PWM），设置这个选项字节之后这三只脚就可以用做定时器PWM输出了

给STM8编程，第一个任务就是搞定电压ADC了


STM8自带的ADC先不管，直接搞高精度的PWM-ADC


这是简化的PWM-ADC结构图







至于算法，我采用的是逐次逼近型ADC方法，具体举例如下：


先接通光耦260ms，把被测电压存到电容里，断开光耦，开始ADC。


MCU先PWM输出0-65536的中间值32768，延时15ms等待PWM滤波稳定，运放比较两个电压，如果32768比被测电压小，那么PWM要继续加大
PWM重新调整到32768-65536的中间值49152，等15ms，再读取比较结果，这次PWM偏高了，下次要减小
PWM再调整到32768-49152的中间值40960，等15ms，再读取比较结果.................


如此重复16次，逐渐缩小PWM范围，最终就能逼近到最后一位数，PWM就和被测电压相等了，总过程500ms


然后跳到第一步，开始新一轮ADC






理论说的挺好听，到了实际电路实验的时候，恩，遇到麻烦了

啊，突然饿了，今天就先到这了，我去逛小吃街了，哈哈哈

晕，
你还自己折腾一ADC出来！
要考虑你那个PWM DAC建立时间啊
我倒是有个建议，先用STM8S的ADC采集数据，然后在结果附近使用你的外置ADC来精确测量。

其实简单点，你直接考虑用单片机自带的ADC多次采样求平均值算了。
考虑用自带12位ADC的单片机，或者直接用外置16位ADC得了

引用 yanjian:
晕，
你还自己折腾一ADC出来！
要考虑你那个PWM DAC建立时间啊
我倒是有个建议，先用STM8S的ADC采集数据，然后在结果附近使用你的外置ADC来精确测量。

PWM DAC建立时间已经用仿真软件模拟过了，从0v跳变到5v，15MS就能达到1个字误差内了，所以采用15MS延时足够了。
至于你的建议，我最终就是这样处理了

引用 yanjian:
其实简单点，你直接考虑用单片机自带的ADC多次采样求平均值算了。
考虑用自带12位ADC的单片机，或者直接用外置16位ADC得了

自带ADC尝试过了，精度与稳定性不达标，详情可以关注后续贴子。
用高精度外置ADC芯片？这个在最初设计的时候考虑过了，不采用的原因有几点：
1、16位ADC芯片卖家少，我最爱的【着迷zheng】店里没的卖，所以懒得跨店购买了
2、基准电压采用的是最常见的TL431，因为本身性能不咋的，用16位ADC芯片感觉会浪费
3、运放采用OP07，性能感觉也配不上16位ADC芯片
4、16位ADC芯片有点小贵，一般卖20再+10邮费，自己的电路设计经验还少，不敢贸然采用，免的浪费



当时我也对自己的高精度PWM很有信心，想着OP07也只是当个电压比较器而已，有静态偏差的话大不了校正好就是了


后来上实际电路测试，PWM确实能达到精度要求，就是在OP07上栽了跟头，这是没预想到的，详情可以关注后续帖子

好了继续更帖，PWM-ADC的调试


最初的ADC算法是 15ms的PWM延时 x 16次对折逼近 ，电压输入端口直接短接为0v，最终读数640多，7个字的读数抖动范围，这稳定性真惨。。。


为什么会这样？想不通。
尝试在16次对折逼近之后 再增加2次PWM微调逼近，也就是说在最后时刻再读取两次OP07的电压比较结果，每次微调PWM增或减一个数字。


这样优化之后，抖动范围降低到了4个字。嘿嘿有效果哎？
继续增加PWM的微调次数到4次，抖动范围还是4个字.....什么情况？增加到6次微调，也还是4个字......


遇到瓶颈了，又想不通了。折腾了一整天，尝试了各种方法，毫无收获。


然后怒接示波器，一看OP07的输出波形，真相大白。。
（此图中的电压刻度乘以10才是实际值，测量点是OP07输出电阻之后的电压，也就是74HC14的输入端，被自动钳位在-0.6到5.6v之间）




OP07的输出跳变速度有快有慢，ADC过程刚开始的时候，电压区别大的时候，跳变快；到后面PWM电压越来越接近，就越来越慢了。
最慢的跳变时间都超过了20ms，都比我的PWM建立时间15ms还要慢了，只延时15ms就读OP07原来是太急了呀。


继续深入研究跳变时间，控制PWM电压在被测电压的一两个字附近调整，跳变时间居然超过了40ms.......你让我情何以堪？这么慢还怎么做ADC末位的高精度？只能是降标使用咯~~~
（此图中的电压刻度乘以10才是实际值，测量点是OP07的输出脚）













最终，为了改善PWM-ADC精度，ADC算法调整为：
在采样电容充电期间，先用STM8自带的10位ADC来预先测量电压的大概值（64次采样再求平均值）
得到低精度的内置ADC结果，保守取其8位精度，在目标电压的附近，再用PWM-ADC来进一步ADC（15ms x 8次逼近 + 60ms x 2次微调）
ADC速度为每秒2次，最终得到了抖动2个字的结果，至此，不折腾了

见OP07这寒碜的性能，突然想了解一下STM8自带的10位ADC到底有着什么样的水准，经过一番测试，得出了下面的图表


下图的Y轴数值是ADC结果的相对抖动范围，X轴是采样次数，每秒采样2次。


内置ADC是64次采样结果相加，合成的16位结果
PWM-ADC直接是输出的16位结果
电压测试来源是一个12V电瓶，电池放电是用一个220V灯泡当放电负载，所以电压下降比较慢

ADC程序写好了，然后就是做上位机软件了。


之前测试ADC读数的时候就已经开始做上位机软件了，只是功能还没完善，只能显示ADC数值，电压还是不知道的。
现在就要给它加上电压显示功能了，为了方便，ADC->电压转换的功能直接交给上位机了，因为以后可能还要频繁调校。


把软件电压表简单调校一下之后（只做单段量程校准），就开始测试电压ADC的精度了。无需多言直接上图

出2个坏电动车控制器给我吧，我也跟着玩，感觉还是TO220的封装好固定一些[s:42]

引用 hackerboygn:
出2个坏电动车控制器给我吧，我也跟着玩，感觉还是TO220的封装好固定一些

找零件不用非要找我呀，淘宝上3毛钱一个，大把的有

之前不知道管子还有散热极限，学习了，留名，感谢分享

请问楼主，在MCU附近的 595 是起什么作用的呢？

引用 a941960336:
请问楼主，在MCU附近的 595 是起什么作用的呢？

有几个作用
1、扩展多个输出接口。与MCU接3根线，就能获得8个输出接口。
2、增强输出接口的负载力。MCU的电源是经过一个电阻从12V拿来的，总电流只有15MA，除去MCU、PWM的电流消耗，只剩几MA可用了。而595的电源是通过7805稳压下来的，负载力较强。
3、分隔模拟、数字电源。MCU的电源是TL431，电流小，精度好；595的电源是7805，精度差，电流大，专门用于对精度不重要的外设驱动。

出差了几天又忙了几天，现在继续更新


电压ADC搞好了，该搞电流ADC了。
因为这俩ADC的电路结构是一样的，所以只要把代码复制粘帖，再改改变量名就搞定了


对了，趁现在介绍一下MCU程序的结构，方便进一步说明细节


如图所示，MCU程序采用定时轮询的运行方式，优点是扩展方便、多任务处理性能好、实时性较好
程序固定每秒循环8192圈，算下来每一圈都有1953个CPU周期可以使用，也就是说每个循环都必须要在1953个CPU周期内处理完所有事情，若处理超时的话会影响到下一个循环的时间，严重的话会影响整个系统的稳定性。
所以在这次搞电流ADC的时候，我就把电流ADC与电压ADC的操作时间错开了，尽量避免多个任务扎堆在同一个循环里处理。
为了系统稳定性，我也在每个循环的末尾增加了超时检测，一旦发现循环超时就向电脑发出CPU过载警告，好及时修正程序，避免酿成大BUG。

写好电流ADC程序之后，直接开始测试，与电压ADC一样都是2个字的跳动范围，初步感觉运行良好。


串上万用表，开始校准。由于我的实验电源只有5A，所以就以4.9A为准，进行单段校准。


校准好了，设定几个电流值试试看。





















貌似，还行的样子

引用 wwwajjlcn:
下一步就是连接主控板的所有功能模块了，继续飞线，飞线，飞、飞、飞。。。。然后嘛


我了个去，飞不动了，线太杂乱，很多焊点都被遮住了，万一还要改个电阻啥的怎么办？


郁闷了一阵子，然后就是拆线，拆、拆、拆......找来一些网...

看到这张图我拜了。

膜拜一下

推荐的电源不错，收下了

引用 wwwajjlcn:
好了，直入PWM正题。



此电路图经过multisim 11 模拟验证过，滤波后纹波低至20uV



为了达到最好的PWM精度，有几点地方要注意


1、高8位与低8位电阻的阻值选择，它们的阻值比例应该尽量接近2...

我按你这个焊出来的电路为什么波纹有10+MV，你这个电路用示波器测过波纹，还是只是模拟过。

用两路高速的8bit分辨率的 PWM，滤波产生两路参考电压，然后把这两路电压通过运算放大器按1:256相加，这样可以做出比较精确的16bit分辨率，LZ那样直接混合PWM的方法是非线性的，输出值和PWM数字不是线性对应的

滤波的临界点是，输出纹波小于设计分辨率的0.5 LSB，如果输出电压步进1mV，那么纹波至少应该小于+-0.5mV，越小越好，但是输出建立时间会变大

引用 q872529868:
我按你这个焊出来的电路为什么波纹有10+MV，你这个电路用示波器测过波纹，还是只是模拟过。

我没有实测过，直接模拟的。这么简单的电路不可能模拟出错的，每过一级电容的纹波都会下降很多，5级就超级纯净了，只要电路处理好就包有好效果。但是为了以防万一，刚才我就拿示波器测试了，外界干扰都盖过了纹波，一点都看不出滤波不干净，测试第一级电容有几十mv，第二级电容几mv，后面都看不出了。

你说的10+MV肯定是电路没处理好，或者引入了干扰波。应该注意下地线的布局，还有注意下负载能力，这个RC滤波出来建议直接送入运放一比一跟随放大再使用，以保证最高精度。

引用 3DA502:
用两路高速的8bit分辨率的 PWM，滤波产生两路参考电压，然后把这两路电压通过运算放大器按1:256相加，这样可以做出比较精确的16bit分辨率，LZ那样直接混合PWM的方法是非线性的，输出值和PWM数字不是线性对应的

滤波的临界点...

对于你说的非线性问题我持反对意见，我先是电脑模拟过，各种占空比都尝试过，输出的电压是完全线性的。
做出实物后，也用万用表测试了多个电压，线性度也是无可挑剔。
能够影响线性度的因素也就只有输出门的内阻与电阻精度了，所以我用了10门并联输出，理论上线性精度能够压制到千分之一了。

至于，你说的运放混合方式，我倒是觉得运放的线性度也不咋的，存在着零点漂移、增益范围等等的因素，还是喜欢一切从简，暴力堆门，肯定没副作用。。。

我也挺想做一个电子负载，手上也有元件，只可惜....不会数电

楼主这么神的帖子，我今天才看到，实在是罪过。
班门弄斧一下。


1. 内置ADC和PWM互相影响的问题
STM8输出PWM的时候，即便外部负载很小，但端口本身仍为pF级别负载。如果您使用的STM8是单组电源脚的最便宜型号，ADC会受影响。
电源退耦极为重要。我看了楼主的layout对退耦做的很好，单片机供电也是从5V最近取得的。


2. C++
串口通信的上位机用什么语言写都好，就是用C++最不好。这是微软的锅。目前较为推荐的是.NET或者python。


3. 2.56M电阻
所以，那个10k是1%还是5%？


4. RCRCRCRCRC滤波
如果目的是实现陡峭的滚降，您的阻容取值和拓扑是完全错误的，除了导致相移极高（反应慢），滤波效果并不好。
既然输入已经是10k+22nF，下一环节应考虑使用100k+2.2nF，以实现40dB滚降，同时最小化相移。


5. 光耦截止慢
我做过这个实验，817光耦推挽，极限大概是5kHz。楼主既然着迷zheng，应该买高速逻辑光耦，1块多一个，马上解决问题。


6. 分辨率和噪声
既然楼主是测电池电压，而且每秒钟只测2次，不如用内置ADC按照100kHz采样，然后FIR滤波以获得低噪声和高分辨率。

引用 novakon:
楼主这么神的帖子，我今天才看到，实在是罪过。
班门弄斧一下。


1. 内置ADC和PWM互相影响的问题
STM8输出PWM的时候，即便外部负载很小，但端口本身仍为pF级别负载。如果您使用的STM8是单组电源脚的最便宜型号，ADC...

终于遇到一个有深度的回帖了，幸会幸会！

回复一下你说的一些问题

1、端口pF级电容，还是你想的周到。我虽然知道有这个电容，但是电容太小我都给忽略了。但是重新想想，端口跳变速度这么高，产生的尖刺干扰也挺可观的了，况且STM8的一个PWM口还并接了10个输入门。


2、我只会C++了，平时时间少，也懒得再学了，C++小巧轻便无需运行库，以前也经常写小程序小玩具发上贴吧分享，倒也喜欢C++。


3、电阻全是1%的。


4、这个项目对于RC速度要求不大，但是当时我考虑了OP07的输入端会有3nA(Max)的拉电流，为了达到1LSB的负载偏离度，所以尽量减小了PWM内阻。


5、光耦是手头有的，懒得买而已，大量料板随便拆。


6、FIR滤波？对于这玩意我一点不懂，刚才也看了好一会百度，依然费解，全是专业名词，先作罢。难道使用了FIR这玩意就能让10位ADC达到16位有效精度？能秒杀多次采样再取平均的方法？要是真的话就太碉堡了，必须学习！

引用 XXXXX:
我也挺想做一个电子负载，手上也有元件，只可惜....不会数电

数电是非常有用的，如果数电模电两手抓，真是快活过神仙，做出来的东西就算是为自己服务都太值了！

我是不太明白这些大功率管的腿那么细，怎么过那么大的电流？

引用 航模发烧友:
我是不太明白这些大功率管的腿那么细，怎么过那么大的电流？

电流照样过，顶多就是发热很大，但是热量会传给散热器。如果是电线，架在空中自然散热，估计得着火，但是未必要融化

引用 wwwajjlcn:
电流照样过，顶多就是发热很大，但是热量会传给散热器。如果是电线，架在空中自然散热，估计得着火，但是未必要融化

这不是会损耗很大么！怎么不做大些？[s::lol]
搞的总觉得是些坑爹的参数，100A 200A 腿都是那么一点点

引用 wwwajjlcn:
终于遇到一个有深度的回帖了，幸会幸会！

回复一下你说的一些问题

1、端口pF级电容，还是你想的周到。我虽然知道有这个电容，但是电容太小我都给忽略了。但是重新想想，端口跳变速度这么高，产生的尖刺干扰也挺可观的了，况且STM8的一个PWM口...

1%电阻，分压不准，有条件建议用0.1%，或者用高位表筛选电阻阻值。
FIR我讲过头了，准确的说是FIR形式的低通滤波器。技术资料还是不要看百度了，多上谷歌，多看维基百科比较好。
简单的讲，楼主用10bitADC连续采样64次叠加，得到16bit结果，从图上来看，噪声峰峰值在10LSB左右。64k采样率（stm8轻易达到）下，每64次采样产生一个数据，相当于一个1kHz的16bitADC对不对？对这个1kHz信号做简单的低通滤波处理，就可以将10LSB的噪声平滑掉，令输出看起来像一条直线。



XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/78563
这个帖子有关于FIR的实现。

这个管子买一个做全桥不错呀。

引用 wwwajjlcn:
数电是非常有用的，如果数电模电两手抓，真是快活过神仙，做出来的东西就算是为自己服务都太值了！

我模电会一些开关电源，但是数电真的一点都不会。什么寄存器啊romram中断眼花缭乱瞬间学不下去了....

引用 wwwajjlcn:
对于你说的非线性问题我持反对意见，我先是电脑模拟过，各种占空比都尝试过，输出的电压是完全线性的。
做出实物后，也用万用表测试了多个电压，线性度也是无可挑剔。
能够影响线性度的因素也就只有输出门的内阻与电阻精度了，所以我用了10门并联输出...

这个东西2010年在ourdev上看别人讨论过，做成电流加法器肯定是线性的，直接并联的电路两路输出的电流不能稳定在1/256，两路互相影响，你可以试试设定0x8000，输出是不是1/2的DACoutMAX


下图是来自NASA的火星探测器使用的DAC电路，两路1/256PWM合成16bitDAC，做这么复杂是为了加速稳定减小纹波

[原帖]XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXml
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/bbs_upload782111/files_33/ourdev_585525XSR3YE.pdf
我只是搬运工

引用 novakon:
1%电阻，分压不准，有条件建议用0.1%，或者用高位表筛选电阻阻值。
FIR我讲过头了，准确的说是FIR形式的低通滤波器。技术资料还是不要看百度了，多上谷歌，多看维基百科比较好。
简单的讲，楼主用10bitADC连续采样64次叠加，得到...

滤波效果好是好，但是最终的精度还是受制于STM8的ADC呀，STM8手册写了ADC本身就几个LSB的精度。

所以我就想另做一个高精度的ADC，理想很美好，当然，说不定在无意中把精度做成垃圾也不奇怪，业余条件也就没办法检验它的精度了。

出了点问题，来更新下帖子。

这个电子负载平时测试5V40A是一点事情都没有，这几天想测试48V电动车电池的容量，开1A没事，一开10A就秒炸一只MOS，并且也把这一路的检流电阻烧断了，我串接的15A玻璃保险丝倒是屁事没有？管子都穿了也不烧保险。。

一开始我以为是环路震荡了，改了电路，减慢了运放加强负反馈电容，示波器看很稳定，再次试机48V，1A没事，开2A又秒炸，检流电阻着火了，15A保险丝还是屁事没有，艹，什么破保险丝。

现在我开始怀疑是管子的耗散功率曲线有问题，查看手册，从1V到最高75V都是可以跑175W功率的，曲线不衰减；但是我去找个进口IRF3205的手册做参考对比，发现人家3205在1V时才有最大170W功率，到了最高55V就只有30来W了，降额幅度还真大！我这国产山寨管子牛B吹大了？

我重新选择了MOS管，翻了许多DIY电子负载的帖子，对比了多款MOS的参数，包括IRFPS3810（580W）、IRFP4368PBF（520W）、IRFP250（180W）等等，发现还是IRFP250比较可以，功率是实打实的，其他管子的功率很多是虚的，一上高压就萎了，还发现了IRFP250N（注意多了个N字尾）倒是个废柴，一字之差竟有如此大的性能区别，下面来解说一下。


先来看IR品牌的IRFP250，参数为：200V、33A、0.085欧、180W。

大家看DC的那条线，DC的意思是持续能承受的功率，例如10ms就是短时间10毫秒的瞬间能承受的功率。
可以看到，最高电压200V的时候，能有0.9A，耗散功率就是实打实180W，全程不降额（当然现实情况是不可能用满的，散热性能会限制这个功率）







再看IR品牌的IRFP250N（注意多了个N字尾），参数为：200V、30A、0.075欧、214W。
乍一看好像比上面的牛B多了，来看看功率曲线。

没有标出DC曲线，最多只有10ms的曲线。
没关系，咱用这个10ms曲线与上面的10ms曲线来参考对比一下。
IRFP250N：最高电压200V * 1.5A = 300W，最高电流4.5V * 60A = 270W
IRFP250：最高电压200V * 3A = 600W，最高电流7.5V * 80A = 600W
可以看出，功率明显萎了很多，是不是不好意思画出DC线了？所以我猜，这个N字尾是针对开关电源优化设计的管子，功率耐量小，内阻更低，工艺成本更低。






再看IR品牌的IRFPS3810，参数为：100V、170A、0.009欧、580W。乍一看参数牛B爆了。


看曲线图，依然没有DC线，只能用10ms线做参考。
最高电压100V * 4.5A = 450W，最高电流3V * 300A = 900W
可以看出，低压的时候很牛B，一上到高压就功率折半，高压的瞬间功率耐量居然比标称功率580W还低，降额严重。
从推测上来说，如果低压时能持续耗散580W功率，那么到最高压折半到290W吧？但我依然不放心，10ms曲线到末尾100V的时候开始出现一了个下滑，鬼知道DC线能滑成什么样？我宁愿老老实实用IRFP250。






再看IR品牌的IRFP4368PbF，参数为：75V、350A、0.00146欧、520W。这电流、内阻参数吓坏我了。


这个有DC线，直接看DC线就行了。最高电压15V * 1A = 15W，最高电流1V * 400A = 400W
我没看错吧？号称520W的管子就只能用到15V？还只有15W？工作电压一超过5V就迅速尿崩到渣也不剩，这参数对电子负载来说已经是垃圾到爆了。





【总结】
研究了这么多管子，发现了一些规律：
1、越是低内阻的管子，就越不能上高压吃功率。现在的MOS管基本上都是“HEXFET”型的，通俗的说就是一个大电流MOS里面是用无数个小MOS密麻排列并联而成的，所以我有个猜想，低内阻设计的MOS，都是使劲“堆细胞”，细胞堆的越多，一致性就越难控制，低压大电流没什么，但是上高压了，就很容易出现电流不平衡，只要有一个细胞过流损坏，整只管子就废了。
2、型号后面带后缀字符的，基本都功率缩水，是针对开关电源优化设计的。




所以，回到此帖主题，我已经下单了IRFP250，等到货装机测试。
另外为了避免再烧检流电阻，我也专门订购了几米1.5MM康铜丝，用这玩意检流肯定皮实，爱用几欧就剪多长，我就不信干不过你个破保险丝。
终端恒流小板要重新设计，旧的板子烧个检流电阻都没法换，已经用导热胶封死了

重新做了终端恒流控制板，用1.5MM康铜丝，我看你还敢不敢烧断？
康铜丝检流长度3.8cm，电阻大约10毫欧。

康铜丝下面填充导热胶，一帮助散热降低温漂，二帮助固定（预防热胀冷缩扯脱PCB铜箔）。



校准后开始测试，接上48V电池，串个15A保险丝，从1A开始一直到10A慢慢加，正常运行。
10A时为46V，总功率460W，平均每个管吃92W功率，气温18度，最热的MOS管表面98度，散热器最热位置52度，出风大约40度。


现在来计算下功率裕量，单管最大功率180W，最高结温150，热阻0.7K/W，导热硅脂热阻取0.2K/W计算。
如果让一个管子吃100W，就是【150度-100瓦*(0.7+0.2)=60度】，也就是说散热器要在60度以下才安全，我的散热器冬天都52度了，夏天估计要超标，所以如果不改进散热的话，负载总功率应该控制在400W以下才安全。


至此，高压大功率的问题总算是解决了。

TO274封装的管单管50W还是安全的，上高功率可以用SOT227封装的管，如IXFN73N30，单管150W。

楼主所列MOS，皆是为开关应用优化，线性应用应该寻找为线性应用优化的管子。


上：2N3055。当然这管子参数上不能跟250比，只是提醒一下，MOS里面找不到时，也可找找其他类型的管子。

见视了，不错，没有玩过静静阅赏中，学习了。。。

    大家分析电路部分比较多，但是却忽略了同样重要的散热器部分。散热部分设计得好，在保证性能的前提下可以减少用料，做出的产品体积小重量轻，量产的话更是能大幅度降低成本。
    我看楼主的风扇好像是从散热器那里吸气而非吹气，虽然四周用铝箔胶带密封了，这样依然会影响散热效果。空气在散热器翅片之间的流动速度越快散热效果就越好，因此最好的风扇安装方式是正对基板的方向吹风，就如CPU散热片和风扇的那种安装方式。如果是侧面吹风或者像楼主那样吸气的话，温度最高的散热器中心部分空气流速不足，就会大大降低散热效果。而且IRFP250基板的面积比CPU小得多，散热器发热部分更加集中在中央的一小块区域，这里温度最高，本应该集中吹风，却仅仅流过和周围温度较低部分一样多的空气，发挥不出应有的效能。
    建议楼主给每个散热片单独安装风扇，在可以接受的噪音下尽量选择风力大的风扇。

好久没更新了，这个电子负载依然烂尾，凑合使用中。。。

但是今天有个偶然的机会，用锤子砸开了IRFP250和IRFP250N看看对比，发现了带N和不带N的更直观区别，特地来补个照片





可以发现带N字的管芯更小，做电子负载还是不带N的更合适

楼主是一乐的lgm3361吧？
看来坏了好几个250了，我自己改装的M8电子负载有总功率限制，设置一般管子不超过50%的耗散功率使用，改装以后还没发生过烧管子的情况

引用 sln.1550:
楼主是一乐的lgm3361吧？
看来坏了好几个250了，我自己改装的M8电子负载有总功率限制，设置一般管子不超过50%的耗散功率使用，改装以后还没发生过烧管子的情况

看来层层马甲也掩盖不了我的言行风格啊（捂嘴笑）

其实我没炸过250，只是今天我新买了一批备用拆机管，直接把完好的管砸开学习，一锤子一块钱，不算贵

引用 wwwajjlcn:
看来层层马甲也掩盖不了我的言行风格啊（捂嘴笑）

其实我没炸过250，只是今天我新买了一批备用拆机管，直接把完好的管砸开学习，一锤子一块钱，不算贵

哈，原来是这样，不过就算1元一个我也舍不得，得是坏的才行

引用 wwwajjlcn:
下一步就是连接主控板的所有功能模块了，继续飞线，飞线，飞、飞、飞。。。。然后嘛


我了个去，飞不动了，线太杂乱，很多焊点都被遮住了，万一还要改个电阻啥的怎么办？


郁闷了一阵子，然后就……

这线飞的太好看了