把图反过来容易看。
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我的炮除了故障，烧了好几次二极管和可控硅，求助，帮忙查找问题吧。
最早发现我的电磁炮突然充不上电了，电压表显示为0，zvs发热严重。
之后我拆了重做，（其实就是换了可控硅和二极管），然后估计是虚汗或者什么的，充电完成后发射时可控硅阳极打火花，然后就又充不上电了。
第三次，我又换了可控硅和二极管，这次充电正常，发射正常，但是发射三四次之后，又充不上点了，回归了最早的情况。zvs发热严重，电压表显示为0.
初步我认为是二极管击穿导致可控硅烧毁，大家觉得呢？
如果是二极管击穿，那么，那么大的电流是如何来的呢？我是1000uf 450v，线圈20匝8层。（实际一共绕了大概158圈）。可控硅70tps16，二极管FR307。![b8389b504fc2d562a366b8cae41190ef76c66cae.jpg]()
之后我拆了重做，（其实就是换了可控硅和二极管），然后估计是虚汗或者什么的，充电完成后发射时可控硅阳极打火花，然后就又充不上电了。
第三次，我又换了可控硅和二极管，这次充电正常，发射正常，但是发射三四次之后，又充不上点了，回归了最早的情况。zvs发热严重，电压表显示为0.
初步我认为是二极管击穿导致可控硅烧毁，大家觉得呢？
如果是二极管击穿，那么，那么大的电流是如何来的呢？我是1000uf 450v，线圈20匝8层。（实际一共绕了大概158圈）。可控硅70tps16，二极管FR307。
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。。。。。。。。。。h
给电容充电的时候，瞬间电流相当于短路，流过mos管的电流很大，几次循环后mos管自然很热，正常现象，过热当然就不工作喽~我的也是这样
等管子凉了你再试试，或者加个限流电阻，不要担心喽~
给电容充电的时候，瞬间电流相当于短路，流过mos管的电流很大，几次循环后mos管自然很热，正常现象，过热当然就不工作喽~我的也是这样
等管子凉了你再试试，或者加个限流电阻，不要担心喽~
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落叶兄 发表于 2014-8-18 10:43
。。。。。。。。。。h
给电容充电的时候，瞬间电流相当于短路，流过mos管的电流很大，几次循环后mos管自 ...
zvs没问题，现在是二极管击穿了，连带可控硅也出问题了，所以我不知道为什么我的二极管会击穿，不应该啊？电路很多人看了都没错，我在发愁呢，充电回路没问题的，我把充电回路和放电回路断开，充电回路是可以正常工作的。
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说明你二极管用的小了，3个FR307并联试一试
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充电限流可以自己绕个电感接在未整流的高压电路上就行，可以防止电流突然变化，也就是开始充电时的相当于短路，它会使电流上升成一个曲线，不会陡增短路，发热小，好用
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本帖最后由 hetyinput 于 2014-8-18 11:56 编辑
上5408吧
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hetyinput 发表于 2014-8-18 12:16
那干脆不用，我的就没用，这么久也出问题
不用可控硅和二极管必出大火花。。。。我受不了。。。而且晚上在湖边玩太招眼了。话说应该是哪里出问题了，不然不可能一个中午连换了两次二极管和可控硅都挂掉吧
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呵呵，现在才发现，楼主你可控硅貌似接错了，看看你的K G A
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本帖最后由 hetyinput 于 2014-8-18 12:32 编辑
中间是A，输入，左边是K，输出
中间是A，输入，左边是K，输出
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hetyinput 发表于 2014-8-18 12:30
中间是A，输入，左边是K，输出
没问题啊 ，电容正极连线圈一头，另一头出来连接可控硅正极，可控硅导通，A和K导通，就到电容负极了。没错吧？可控硅就是一个开关啊，正极和负极通过可控硅断开导通的。
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触发极触发不可靠,用104隔直,从主电容上取电压,用小继电器控制.触发速度可加快,二极管可多并几只.
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家电 发表于 2014-8-18 12:42
触发极触发不可靠,用104隔直,从主电容上取电压,用小继电器控制.触发速度可加快,二极管可多并几只.
触发没问题，1.5v的电池，用了好多次了，说它没电了还差不多，不可能高于1.5v，应该没问题。
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tirrus 发表于 2014-8-18 12:48
触发没问题，1.5v的电池，用了好多次了，说它没电了还差不多，不可能高于1.5v，应该没问题。
我的意思是不可靠，可控硅要用大电流瞬时脉冲触发，这样可降低热量
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楼主那个zvs输出到电容之前有没有经过整流？还有就是可控硅的控制极电压是否过高以及zvs起动时的浪涌电压都值得注意。出现这种问题可以肯定的是绝不是可控硅和二极管耐流不够
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327835361 发表于 2014-8-18 13:02
楼主那个zvs输出到电容之前有没有经过整流？还有就是可控硅的控制极电压是否过高以及zvs起动时的浪涌电压都 ...
单独给电容充电是可以的，万用表也可以测得电容能够充到400v，应该没问题的
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二极管是续流，防反压损坏电容的。会不会有可能二极管被击穿后，电流直接流过二极管后再将可控硅击穿。
这个可控硅耐浪涌电流1400A，电容，线圈参数应该没问题。我的1350uf，450V，也是70tps16，线圈也有一个差不多的，连开十几次也没事，可控硅也一点都不热。
可以试试多并两个二极管，一定要防止虚焊
实在不行降低电压或者换个电感大点的线圈试试，也有可能是可控硅质量问题
这个可控硅耐浪涌电流1400A，电容，线圈参数应该没问题。我的1350uf，450V，也是70tps16，线圈也有一个差不多的，连开十几次也没事，可控硅也一点都不热。
可以试试多并两个二极管，一定要防止虚焊
实在不行降低电压或者换个电感大点的线圈试试，也有可能是可控硅质量问题
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thebluetree 发表于 2014-8-18 15:27
二极管是续流，防反压损坏电容的。会不会有可能二极管被击穿后，电流直接流过二极管后再将可控硅击穿。
这 ...
如果是虚焊，哪几个地方容易出现问题导致二极管被击穿啊？
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thebluetree 发表于 2014-8-18 15:27
二极管是续流，防反压损坏电容的。会不会有可能二极管被击穿后，电流直接流过二极管后再将可控硅击穿。
这 ...
还有虚焊为什么会导致可控硅击穿？难道是线圈和二极管部分虚焊么？导致电流不通过线圈直接往二极管方向走？
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别人说一样，你试都没试，就你否定一样，叫别人怎么帮你啊
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只看你的电路图，应该把1.5V干电池的触发开关，移动到干电池的正极处，而且最好把1.5V干电池换成18650或者其他锂电，如果仍然有问题，请发实物图，大家帮你找问题，ZVS发热是MOS管没有工作饱和区或者负载过重。
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w1s2n3g 发表于 2014-8-19 16:11
只看你的电路图，应该把1.5V干电池的触发开关，移动到干电池的正极处，而且最好把1.5V干电池换成18650或者 ...
经检查，zvs发热是因为二极管击穿后短路造成的，顺带烧坏了可控硅，1.5v干电池我已经移到正极处，这个没问题了，实物图本来也想放，但是经过多次修理后，布线已经没有一点章法了，照片看不出来的应该。
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w1s2n3g 发表于 2014-8-19 16:11
只看你的电路图，应该把1.5V干电池的触发开关，移动到干电池的正极处，而且最好把1.5V干电池换成18650或者 ...
经检查，zvs发热是因为二极管击穿后短路造成的，顺带烧坏了可控硅，1.5v干电池我已经移到正极处，这个没问题了，实物图本来也想放，但是经过多次修理后，布线已经没有一点章法了，照片看不出来的应该。
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w1s2n3g 发表于 2014-8-19 16:11
只看你的电路图，应该把1.5V干电池的触发开关，移动到干电池的正极处，而且最好把1.5V干电池换成18650或者 ...
经检查，zvs发热是因为二极管击穿后短路造成的，顺带烧坏了可控硅，1.5v干电池我已经移到正极处，这个没问题了，实物图本来也想放，但是经过多次修理后，布线已经没有一点章法了，照片看不出来的应该。
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二极管3个左右并联，发射时有无触发保护？（看你电路图没有），ZVS那里购的，还是自己做的，如果是购的，就发ZVS的实物图来，或者在ZVS的整流输出端串联一个二极管，进一步提高触发电压（18650或者其他旧手机锂电池），二极管并联在发射线圈的引出线的两端（越靠近线圈越好），击穿二极管并非是大电流击穿，而是瞬间超高电压击穿的，你的线圈有多长？，弹有多长（蛋直径多少）？，线径有多大（管外径和内径多少）？这三个因素和反向电压有关的，没有实物图，只有请你标明了，
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w1s2n3g 发表于 2014-8-20 14:34
二极管3个左右并联，发射时有无触发保护？（看你电路图没有），ZVS那里购的，还是自己做的，如果是购的，就 ...
外径8mm管子，内径6mm，1mm漆包线，绕了158圈，按照20*8绕的，弹丸是6.35mm的钢珠。
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换个个大的二极管，二极管的电流不够，这里的线圈也相当于一个储能线圈，所储的能量只能通过二极管放电，所以你的二极管的电流不够，用MUR15120
试试，15A 1200V
试试，15A 1200V
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着迷者1 发表于 2014-8-20 17:55
换个个大的二极管，二极管的电流不够，这里的线圈也相当于一个储能线圈，所储的能量只能通过二极管放电，所 ...
其实以前一直是这个参数，甚至并联两个电容还是用的同样的可控硅和二极管，所以不理解这个单电容怎么会烧管的。。。。
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内径6毫米，钢珠6.35毫米，也能放进去，莫非你的管子开槽？
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根据你给的数据，你的效率最多0.26%，出膛速度最多15米每秒，但最大电流却有700多A，弹丸的位置和电容的参数一旦变化，很容易烧可控硅，这么大的电容，反向电动势很高的，接线只要有点不规范，或者ZVS的干扰都容易出问题，给你一个建议，0.5的漆包线，线圈长度13毫米，绕280匝，电容440UF，电压冲到400V左右，用你原来的熟料管和钢珠，调整得好，可以达到18米每秒的速度，能量降低一半多，效率提高4倍左右，速度也高了不少，加上触发保护，还可以连射
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笔误：纠正：效率提高3倍左右，速度也高了不少，加上触发保护和自动供蛋（可借鉴采用瞎话的重力自动供蛋），还可以连射
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如果你非要纠结这个结构（这么低的效率）为什么以前没有烧管，现在不停的烧管，我说一下我的经过吧（我没有诋毁谁的意思和目的），我第一次用的ZVS变种，第二次用2.0，，开始的时候也是很正常，过一段时间在实验，也是不停的烧这二级管子，烧那可控硅的，用表测量输出电压都很正常，后来用150W的，很少烧管了，原因无非就是干扰，到底这么回事，我也没有搞明白，（图片见《我第一次用ZVS变种》）
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w1s2n3g 发表于 2014-8-21 11:48
根据你给的数据，你的效率最多0.26%，出膛速度最多15米每秒，但最大电流却有700多A，弹丸的位置和电容的参 ...
模拟器计算，弹丸位置对的话，最高效率1.17好像，没你说的那么低吧？
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w1s2n3g 发表于 2014-8-21 11:48
根据你给的数据，你的效率最多0.26%，出膛速度最多15米每秒，但最大电流却有700多A，弹丸的位置和电容的参 ...
模拟器计算，弹丸位置对的话，最高效率1.17好像，没你说的那么低吧？
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w1s2n3g 发表于 2014-8-21 11:48
根据你给的数据，你的效率最多0.26%，出膛速度最多15米每秒，但最大电流却有700多A，弹丸的位置和电容的参 ...
模拟器计算，弹丸位置对的话，最高效率1.17好像，没你说的那么低吧？
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