蛋疼好久了，自绕高压包初级，漏感大大的，对开关管的冲击大大的，刺激拉弧短路，初级电流大大的，开关管都可以煮饭了
漏感引起的是尖峰电压，这个尖峰有多高我不知道，没有示波器，但是绝对超过输入电压的四倍，低压输入还好，输入电压高一点玩命的穿管子
网上找了一天相关资料，找到这么一些开关管保护相关资料
NO.1   RC吸收 有两种 一种和线圈并联，另一种和管子并联

有关的计算百度百科里讲的云里雾里不明所以，贴过来大家看看
RC吸收电路的原件选择
电容的选择
C=(2.5-5)×10的负8次方×If
If=0.367Id
Id-直流电流值
如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)
可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF
选用2.5mF，1kv 的电容器
电阻的选择：
R=((2-4) ×535)If=2.14-8.56
选择10欧
PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)2
Pfv=2u(1.5-2.0)
u=三相电压的有效值
阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。
小功率负载通常取2毫秒左右，R=220欧姆1W，C=0.01微法400~630V。
大功率负载通常取10毫秒，R=10欧姆10W，C=1微法630~1000V。
R的选取：小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻；大功率选RX21线绕或水泥电阻。
C的选取：CBB系列相应耐压的无极性电容器。
看保护对象来区分：接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴；接触器触点和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。


NO.2 RCD吸收 这个好多种，分两类，一类是和初级并联的，另一类是和管子并联
第一类，rcd和初级线圈并联，网上看到分三种，一般电动车充电器里用的就是第一种.100多W的功率用8N60就扛住了


第二类，rcd和管子并联，这种rcd和并联在初级的rcd不怎么一样


关于rcd的计算方法百度百科是这样写的


RCD吸收电路的设计
一﹑首先对mos管的VD进行分段：
Ⅰ，输入的直流电压VDC；
Ⅱ，次级反射初级的VOR；
Ⅲ，主MOS管VD余量VDS；
Ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。
二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：
Ⅰ，输入的直流电压VDC。
在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。
VDC=VAC *√2
Ⅱ，次级反射初级的VOR。
VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值）．
VOR=(VF　+Vo)*Np/Ns
Ⅲ，主MOS管VD的余量VDS．
VDS是依MOS管VD的10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V．
VDS=VD* 10%
Ⅳ，RCD吸收VRCD．
MOS管的VD减去Ⅰ，Ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。
VRCD=(VD-VDC -VDS)*90%
注意：
① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．
② VRCD必须大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了）
③ MOS管VD应当小于VDC的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了）
④ 如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。
⑤ VRCD是由VRCD1和VOR组成的
Ⅴ，RC时间常数τ确定．
τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20个开关电源周期。
三﹑试验调整VRCD值
首先假设一个RC参数，R=100K/RJ15, C="10nF/1KV"。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值。 如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R值减小后，重复以上试验。（RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“+”极的RC一 点上，测试点接到RC另一点上）
一个合适的RC值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值。
四﹑试验中值得注意的现象
输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高。那么在最低输入电压，重负载时VRCD的试验值如果大于以上理论计算的VRCD值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。
重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。
RCD吸收电路与RC电路的比较
采用RC、RCD吸收电路也可以对变压器消磁，这时就不必另设变压器绕组与二极管组成的去磁电路。变压器的励磁能量都在吸收电阻中消耗掉。RC与RCD吸收电路不仅消耗变压器漏感中蓄积的能量，而 且也消耗变压器励磁能量，因此降低了变换器变换效率。RCD吸收电路是通过二极管对开关电压嵌位，效果比RC好，它也可以采用较大电阻，能量损耗也比RC 小。
RCD吸收电路的影响
1.RCD电容C偏大
电容端电压上升很慢，因此导致mos 管电压上升较慢，导致mos管关断至次级导通的间隔时间过长，变压器能量传递过程较慢，相当一部分初级励磁电感能量消耗在RC电路上 。
2.RCD电容C特别大（导致电压无法上升至次级反射电压）
电容电压很小，电压峰值小于次级的反射电压，因此次级不能导通，导致初级能量全部消耗在RCD电路中的电阻上，因此次级电压下降后达成新的平衡，理论计算无效了，输出电压降低。
3.RCD电阻电容乘积R×C偏小
电压上冲后，电容上储存的能量很小，因此电压很快下降至次级反射电压，电阻将消耗初级励磁电感能量，直至mos管开通后，电阻才缓慢释放电容能量，由于RC较小，因此可能出现震荡，就像没有加RCD电路一样。
4.RCD电阻电容乘积R×C合理，C偏小
如果参数选择合理，mos管开通前，电容上的电压接近次级反射电压，此时电容能量泄放完毕，缺点是此时电压尖峰比较高，电容和mos管应力都很大
5.RCD电阻电容乘积R×C合理，R，C都合适
在上面的情况下，加大电容，可以降低电压峰值，调节电阻后，使mos管开通之前，电容始终在释放能量，与上面的最大不同，还是在于让电容始终存有一定的能量。


NO.3 TVS 这个简单，还有他的变种人家叫TD吸收，就是TVS加一个二极管




NO.4 TRCD，杂交体，据说效果灰常好


有一点资料写出了R和C的计算方法，应该同样适用于RCD




附上找到的相关资料

50_W高功率因数反激式开关电源箝位电路的研究.pdf 430.90KB PDF 95次下载 预览

RCD吸收电路的影响和设计方法.doc 446.00KB DOC 24次下载

详解Flyback的RCD吸收电路.pdf 152.01KB PDF 64次下载 预览


好吧，看了这么多我也迷迷糊糊，没示波器没电感表我就算用RCD和RC估计只能牺牲更多的管子
砖头我扔出来了，欢迎砸玉
各路大神来分析一下如果自绕初级驱动高压包的话用哪种比较好