肯定有，还不止一种方案。

搞个电路图来看看

不实用

抛砖引玉的来了！
用普通可控硅控制多级加速的磁阻发射装置，最头疼的就是可控硅不易关断，igbt的优势就是可以高速关断，所以用igbt和可控硅结合起来控制多级加速是一种选择。
方案一：例如一个20级的发射装置，按位置顺序分成1、3、5、7十个奇数和2、4、6、8十个偶数的两个组，每一级加速线圈的开通用1个可控硅控制（这时回路中对应控制组的igbt也要开通，根据可控硅参数调整igbt开通速度，以免igbt开通太快的浪涌电压造成不需要导通的可控硅误导通），用两个igbt串入主回路分别控制这两个组的十个可控硅，控制对应的igbt关断，使这两个组轮流关断（把一个igbt和十个可控硅的组串联，igbt关断后，回路电流迅速减小，这时线圈中存储的磁能通过并联在线圈上的二极管续流自然衰减，回路电流过零后可控硅自然关断）。
当然，如果可控硅的参数在电流过零后能立即关断，并能抗击短时间内重新上电的浪涌电压而不重新导通，可以不用分成两组，这样只要一个igbt就能控制所用关断。
欢迎对此展开讨论。

按楼上所说的  那电源用什么  要是电容的话肯定行不通的   一般电磁枪里一组电容放个2次电  就没有什么能量了

引用第5楼tony1543于2008-11-30 18:55发表的  :
按楼上所说的  那电源用什么  要是电容的话肯定行不通的   一般电磁枪里一组电容放个2次电  就没有什么能量了

这个问题和如何解决多级控制无关，可以说只要想要高速度，所需能量就不会小。但可以动脑筋想办法解决在使用小体积弹头下怎样才能尽量高效率的利用能源，这样就可以变相的解决所需的高能量问题了。不过高效率这个话题可以放在另外的帖子里讨论。