我的新DRSSTC【1.2m电弧】

想尝试做DRSSTC0.5版本的。因为比较简单。
有几个问题：
1、由555及其外围元件组成的电路，是IGBT栅极的信号来源呢，还是一个灭弧电路呢？
2、74HC14、74HC109及其外围元件组成的电路，是什么功能？
   74HC14第1脚前级是从一个变压器次级接入的，该变压器有什么用？它的磁芯是否与GDT材料相同？
   74HC14第13脚的信号是否就是555的输出？
3、在半桥部分，电容C13有什么作用？耐压值取多大合适？
   电容C11、C12S是整流后的滤波电容吗？
   瞬态二极管直接用440代替两只220，可以吗？
4、在GDT部分，电容C5的耐压有何特殊要求？

请指点，谢谢！

1:是一个产生低占空信号的方波发生器，可以独立调节频率和ontime。一般习惯称作灭弧电路。
2：你说的74HC109电路是DR1电路。由JK触发器与反相斯密特触发器构成的相当于边缘阻塞D触发器的电路。作用是防止灭弧下降沿落在电流峰值或者大电流值产生硬开关损坏开关管。
“变压器”是电流互感器。由两个匝数为33的磁环变压器串联而成。总变比≈1000:1。
作用是追踪初级线圈电流信号。完成自激和追频（&锁相）功能。材质没有过多要求。但不能是用来做阻尼的磁环。
不是。灭弧信号输出进过了一个电阻网分压，取1K和10K电阻中节点电压作为灭弧信号至74HC14 Pin13。目的猜测是为了提供给输入端一个启动信号。
3：C13并接在半桥母线与地之间。起到滤波和吸收的作用。
大型电解电容器由于卷绕工艺。不可避免ESL和ESR都会较大。此时一些尖峰无法通过电解电容有效吸收。
故并接C13为高品质吸收电容。特性是Dv/Dt耐受值大。ESR ESL低。高频性能好。耐压一般选取高于母线电压两倍。
考虑到安全系数。一般300~400V母线电压下选择600~1200V都比较合适。
C11 C12与两个整流二极管构成二倍压整流电路。在母线上产生约等于两倍输入交流电压峰值的电压。
同时起到滤波与吸收的作用。
瞬态二极管可以代替。但是耐受性会略微下降。而且TVS在这个电路中能起到的保护作用也甚小。不如做交流屏蔽。
4：GDT部分C5为AC coupling电容。起到隔直作用。在静态的时候防止图腾直短。工作时防止GDT产生磁偏。
此电容与半桥两管Ciss与Cm分享电压。一般取大于1uF的值。耐压为50V的电容足够使用。
个人比较喜欢用无感电容。能够减小损耗和干扰。

末。此电路较为落后。为DR1构架。用来做DR性价比不怎样。
如果还没有开始做。个人推荐DR4构架。廉价且可靠。