我对IGBT和场管区别的印象就是导通时场管算电阻,IGBT算压降(三点几伏)
22019
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.....原想做电磁发射的开关部份...但他的性能也是很弱的...只能是控制开的部份了 [s:245] 我有个555驱动电路用的就是电磁炉的IGBT.原本有四个的单在555电路都就烧掉了二个.还有一个也不知道怎么烧了...感觉就一场效应管.还不如旧货的450好 [s:245]
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IRFPXXX系列的場管一般用於低壓 仿佛是60V 導通電阻比較小 開關頻率也相對較高
XXNXXD 系列的IGBT一般用於1200V的高壓電路的開關 壓降較大 用在低壓電路效果很不理想
而且雖然都是電壓驅動元件（FET) 但是IGBT做電磁槍的話 G極輸入電平必須高於15V 才就能達到最好的導通效果
而場管的話要求並不是很高
XXNXXD 系列的IGBT一般用於1200V的高壓電路的開關 壓降較大 用在低壓電路效果很不理想
而且雖然都是電壓驅動元件（FET) 但是IGBT做電磁槍的話 G極輸入電平必須高於15V 才就能達到最好的導通效果
而場管的話要求並不是很高
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原来在运用中还有高低压的差别...但450的耐压也是几百V的..但我窜了普通二极管做为反向保护也很容易烧掉..是不是要用高速二极管才行呢..BLACK [s:258]
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IGBT是高反压三极管和驱动他用的MOS管组成的复合管。
MOS管则是独立的管子。
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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平时所称的场管或者MOS管，一般意义上是指绝缘栅型场效应管。
其实并非只有这一种。场效应管分好几种类型的，有兴趣可以去查查。
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MOS自带反向二极管，具备与MOS本身相同的电流容量，接近于高速二极管的反向恢复特性，相当于小功率TVS的雪崩耐量。
因此在MOS上并联普通二极管没有保护效果，要并就并TVS。即便是功率容量不足的TVS，也可以作为“炮灰”保护MOS。
因此在MOS上并联普通二极管没有保护效果，要并就并TVS。即便是功率容量不足的TVS，也可以作为“炮灰”保护MOS。
引用第4楼west_0830于2010-01-15 18:49发表的 :
原来在运用中还有高低压的差别...但450的耐压也是几百V的..但我窜了普通二极管做为反向保护也很容易烧掉..是不是要用高速二极管才行呢..BLACK [s:258]
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