超高的效率来自于更小的功率。

本来这个项目的目标不止这点，达到165mps@980v。但是由于本人的电气修养不够，设计时忽略了很多问题，因此实际使用时电压不可能达到近千伏，性能指标只能一砍再砍。

阵列需要多到离谱的飞线，以至于放个线槽都很合适。

电路中对称放置了8组半桥，组成2*4*4的阵列共32级。原理验证和拓扑简图在我上一个帖里。两个阵列能满足大部分性能需求，一个阵列则不行，因为每个阵列只能允许打开其中的一对开关，也就是一级。打开时电流上升，而关闭后电流下降的过程无需考虑。这里说的“无需考虑”其实存在影响，前后3cm内未完全关断的线圈会产生不必要的感应电流，降低效率。然而只要阵列较大且线圈够长，位于阵列中开通线圈同行同列的没有靠那么近的，这个影响就小到忽略不计。对于双阵列来说，每级加速允许的位移是2倍线圈长+0.5倍弹长。在我这个项目中弹长和线圈长都是14mm，加速位移最大是35mm。若是单阵列，这个位移仅有21mm，完全不够用。对于弹丸长度，我的建议是不要超过2倍弹径，因为太长的弹尾端对拉力贡献较小，几乎能当成死重；而太短的弹又很轻，能量较小。在这种趋于紧密线圈的模型中，建议关断的时机是弹丸前部到达线圈中心前1mm处，这样能提高加速的稳定性。反正maxwell可以使用位移控制，比时间控制方便多了。

买的45钢柱子看来实际上是a3钢，没有剩磁。在maxwell中使用1008钢，比1010略强，对比实际结果没有什么问题。也就是说，a3钢的“饱和磁化”能达到2.1T以上。

电容方案是KHE 3并2串，组成单个电容900v1320uf。这里我忽略了第一个问题，串联电容的漏电流不一样大，短时间没事而长时间就会使得电压不均等，有过压爆炸的风险。而我没有做均压措施，因此只能降压使用。使用单一电容的特点就是这样，电压会逐渐降低，并且需要两倍的容量比较笨重。搭配半桥可以更精准地控制脉宽调节电流来补偿，所以更容易做到恒定功率。速度达到101而不是仿真的103，只是因为mcu使用stc89这个龟速机，定时不够精准所以留了一点冗余。

在低电压测试中烧坏了很多管子，原因主要有两个问题：第一个是器件质量差，除了IGBT外还损坏了几个二极管和光耦。由于线圈使用了非常多的匝数，测试中电流仅有几十安，若不是质量问题我真的不能相信。换过不少器件之后现在能正常在500v电压发射了。由于以前用过的ccps最高电压仅有520v，所以目前只在这个电压下使用。第二个我忽略的严重问题是在电炮这种环境中emi非常强，我在画板时无视了这个问题甚至没铺铜。小功率下这些干扰其实无伤大雅，在管子额定电流以内烧管没那么容易；但在大功率下干扰造成的振铃就比较致命了。感谢欧阳兄的现场指导给我指出了这些问题，最好的解决办法是加铜箔屏蔽层但做起来不方便。

这是430V下的放电波形，振铃存在但持续时间均低于2us，这种情况不应造成炸管，所以目前很稳定。危险的振铃应该是大功率并持续较长时间。更高电压的波形会更难看，但我暂时没有测量。igbt驱动部分看起来状态良好，问题严重的是5v信号部分，干扰输入了光耦并打开了它。具有良好滤波和屏蔽的电路看起来会整洁得多，管子运行会很安全并能够承载更大的电流。

暂时没做弹匣，单打一塞入弹丸来装填，用按钮启用充电。由于电容很小，所以即使充电功率不大也不会花费很多时间。目前的24级总共仅消耗95j。也因为容量小，使用24级以后电压低于350v不再适合加速。当前电流峰值仅有85A，若使用600v管子甚至没达到额定电流，“极其安全”。因为存在干扰，mcu运行不太稳定，偶尔还是会尿弹，所以现在不能进一步提高电压。后续会更换mcu面板，尝试从控制电源抑制信号干扰。

这个炮还有待升级，后续还会根据波形的情况来决定工作电压。

目前状态：启用24级

线圈总长：480mm

重量：3.0kg，不含电池和瞄具

电容组：520v 1320uf

弹丸：8*14mm 5.3g

速度：101m/s

动能：约27j@29.8%