MOS损坏不应该，反激采用的什么驱动方案？有没有Isense取样？硅堆损坏的话先列下硅堆的参数，很多小电流硅粒子确实很脆弱。
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引用 xiaosen93:楼主你好，你做的这个电源参数很像是静电喷涂用的高压模块的输出参数哦，也是100-150kv左右电压，100uA的电流输出。
现用简单的单端反激方式做了一款高压发生器，最高高压-120KV,电流100μA。因负载会有偶尔放电现象，现有高压一发生放电后、倍压硅堆或驱动mos管就会损坏。请教各位神人如何做到高压保护，相当于短路保……
所以我认为可以借鉴一些静电喷涂模块的设计，一般行业内的惯用解决方案是，输出端用一根高阻高耐压的碳电阻棒来限流的。
如果电源输出带载很轻可以采用这方法试试。
引用
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