关于之前发布的市电全桥ZVS电路的改善
       这个电路改善了IGBT驱动部分和部分器件的选型,增强了对IGBT的驱动能力,减小了门极延迟造成的开关损耗,看吧,这门极信号比之前的陡多了吧,图腾管选用SS8050和SS8550对管,一般的TO92小功率三极管电流在50~150mA之间,输出电阻较大,而SS8050和SS8550对管拥有1.5A的驱动电流,可见其输出阻抗更低,IGBT5,6的门极也采用图腾驱动,IGBT1,2采用共集驱动,三极管的带宽非常高,通常在100M以上,1.5A的电流也非常可观,对于信号的上升下降时间自然延迟很小。重新选择了光耦,选用价格低廉20M开关速度的6N137,6N137开通时间为23ns,关断时间为7ns,非常可观,由于光耦的输出电阻较大,上管门极采用共集驱动减小输出电阻。 全桥ZVS.png
波形更陡.png

[修改于 9年0个月前 - 2015/12/22 16:58:54]

来自:电气工程 / 电气电工电气工程 / 高电压技术
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