再次设计12级电磁炮系统控制板，因第一次的设计光电部分和可控硅驱动部分电路不够成熟而流产现重新设计控制系统详细配置如下：
       使用STC15W4k48s4-LQFP44单片机,主频33MHz为控制核心单元。  3片Lm339组成12路比较器做光电放大比较器提高响应速度可以对12处进行位置采样以纠正位置和延时的偏差。12路晶体管驱动电路驱动可控硅（可控硅不在本板内）驱动速度4us内可准确打开可控硅且不存在开机主电容误放电的情况。设置1个总开关接口，1个扳机触发接口，1个连发控制接口，4个系统调节按键负责设置和保存各种延时和数据，一个0.96寸12864点阵液晶接口显示电池电量、电容电压条、初速等数据，1个温度监视接口可接1~4个温度监视探头防止过热，1个瞄准激光管控制接口，1个电动机控制单线接口，1各单线备用控制接口。
       设计初衷为：通过12级光电管修正发射程序的误差，可控制1~12级高压电磁枪。通过系统的延时设定和保存可对各种高压可控硅多级电磁炮的发射程序进行设定和更改。通过电压采样分析可监视和显示关键电压并设定自动控制，包括电池的过放电保护，主电容充满自停，连发的控制等。采用系统数据设定模式使用液晶、按键进行设定和保存。本板可控制电源升压模块采样高压0~1000v，低压6~20v。
      现程序已编写完成70%左右，发帖征集各种意见和创意想法完善本设计，联系QQ1295384704  +好友请注明科创。