换成2W的还是很烫，只是不像200欧的电阻很快的一下子烫
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关于驱动MOS管的电路电阻选择
请教大家一个问题
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在原理图中我需要实现把0-3V的脉冲去驱动MOS管，由放大电路和图腾电路组成，仿真的挺好的，做出来板子发现，R3非常的烫，我换成2K的就好了，但MOS管的开启速度比200欧的时候慢了一倍，我想问一下R6，R3的选取如何才能让图腾柱完全的打开，提高MOS管的开启速度。
在原理图中我需要实现把0-3V的脉冲去驱动MOS管，由放大电路和图腾电路组成，仿真的挺好的，做出来板子发现，R3非常的烫，我换成2K的就好了，但MOS管的开启速度比200欧的时候慢了一倍，我想问一下R6，R3的选取如何才能让图腾柱完全的打开，提高MOS管的开启速度。
回 3楼(ghia) 的帖子
那我应该怎么解决呢？
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回 7楼(量子隧道) 的帖子
那我应该怎么改电路呢？
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回 8楼(王鲲鹏) 的帖子
那个帖子看的有点晕，好多图，不过是N、PMOS管做图腾电路的，我看了一下那个帖子，主要我不知道用他们的电路能够让IRF840的开启速度有多快，我需要下降沿在10--20ns，所以首先想到的在原来的基础上解决问题，要是有更好的电路那当然好，手头上也没有他们的器件，所以也不知道效果如何，下图的电路用洞洞板搭出来下降沿在20ns，可是做成电路板，把器件变成贴片的后就成了50ns，而且还有很大的振荡，我画了好几个，我猜估计是过孔打的多了，好多没有在一个平面导致的，其中做了一个板子，他的贴片的器件都在一个平面振荡就消除了，不过下降时间还是大，现在就是发现那个200欧的电阻很烫，换一个大的电阻IRF840的开启速度就慢了些
我的整体电路图
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我的整体电路图
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