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帮推荐一个导通电阻较小的MOS管
yuanjue2012/11/23电子技术 IP:北京
再做一个半桥的离子扬声器电路，需要用到两个MOS管，现在用的是IRF250，导通电阻(RDS)在85mΩ左右。电路工作后发现两个MOS管发热比较厉害，因此想换导通电阻较小的MOS管，希望导通电阻（RDS）在毫欧的级别。因为电路有尖波出现，因此对耐压值也比较高，最好能达到百伏的级别。
来自：电子信息 / 电子技术
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~~空空如也
奶酪
12年2个月前 IP:未同步
472753
1楼
IRF3207 75V 3.6mΩ
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奶酪
12年2个月前 IP:未同步
472755
2楼
XXXXXXXXXXXXXXXXXX/v6/en/US/adirect/ir?cmd=eneNavigation&N=0+4294841672
自己查，很方便~
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奶酪
12年2个月前 IP:未同步
472758
3楼
不过话说回来，发热的原因仅仅是内阻造成的么。。。
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小猪猪_
12年1个月前 IP:未同步
479210
4楼
我用的是460管，初级并联电容，使工作在ZVS状态，几乎无发热，楼主，内阻造成的发热是很小的。去翻翻论坛里老贴子吧，但是用在等离子扬声器上由于占空比会改变，就不能ZVS了，但是还是有效减少发热的。
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小特斯拉圈圈
12年1个月前 IP:未同步
479233
5楼
IRFB4310 100V 140A 5.6mΩ
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北落师门
12年1个月前 IP:未同步
479360
6楼
推动感性负载产生的发热主要是由尖峰造成的，不是内阻
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yanli12321
12年1个月前 IP:未同步
479458
7楼
同LS，纯粹靠内阻发热的话用欧姆定律就可以算出电流是多么离谱.........
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山寨雷神公司
12年1个月前 IP:未同步
479558
8楼
同LS 驱动波形不好发热一样变态
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