#include <reg52.h>
#include <intrins.h>
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
sbit DQ = P4^2; //数据口
uint temp; //温度值
/*************精确延时函数*****************/
void delay(unsigned char i)
{
while(--i);
}
/******************************************
此延时函数针对的是12Mhz的晶振
*******************************************/
/*****************DS18B20******************/
void Init_Ds18b20(void) //DS18B20初始化send reset and initialization command
{
DQ = 1; //DQ复位,不要也可行。
delay(1); //稍做延时
DQ = 0; //单片机拉低总线
delay(250); //精确延时,维持至少480us
DQ = 1; //释放总线,即拉高了总线
delay(100); //此处延时有足够,确保能让DS18B20发出存在脉冲。
}
uchar Read_One_Byte() //读取一个字节的数据read a byte date
//读数据时,数据以字节的最低有效位先从总线移出
{
uchar i = 0;
uchar dat = 0;
for(i=8;i>0;i--)
{
DQ = 0; //将总线拉低,要在1us之后释放总线
//单片机要在此下降沿后的15us内读数据才会有效。
_nop_(); //至少维持了1us,表示读时序开始
dat >>= 1; //让从总线上读到的位数据,依次从高位移动到低位。
DQ = 1; //释放总线,此后DS18B20会控制总线,把数据传输到总线上
delay(1); //延时7us,此处参照推荐的读时序图,尽量把控制器采样时间放到读时序后的15us内的最后部分
if(DQ) //控制器进行采样
{
dat |= 0x80; //若总线为1,即DQ为1,那就把dat的最高位置1;若为0,则不进行处理,保持为0
}
delay(10); //此延时不能少,确保读时序的长度60us。
}
return (dat);
}
void Write_One_Byte(uchar dat)
{
uchar i = 0;
for(i=8;i>0;i--)
{
DQ = 0; //拉低总线
_nop_(); //至少维持了1us,表示写时序(包括写0时序或写1时序)开始
DQ = dat&0x01; //从字节的最低位开始传输
//指令dat的最低位赋予给总线,必须在拉低总线后的15us内,
//因为15us后DS18B20会对总线采样。
delay(10); //必须让写时序持续至少60us
DQ = 1; //写完后,必须释放总线,
dat >>= 1;
delay(1);
}
}
uint Get_Tmp() //获取温度get the temperature
{
float tt;
uchar a,b;
Init_Ds18b20(); //初始化
Write_One_Byte(0xcc); //忽略ROM指令
Write_One_Byte(0x44); //温度转换指令
Init_Ds18b20(); //初始化
Write_One_Byte(0xcc); //忽略ROM指令
Write_One_Byte(0xbe); //读暂存器指令
a = Read_One_Byte(); //读取到的第一个字节为温度LSB
b = Read_One_Byte(); //读取到的第一个字节为温度MSB
temp = b; //先把高八位有效数据赋于temp
temp <<= 8; //把以上8位数据从temp低八位移到高八位
temp = temp|a; //两字节合成一个整型变量
tt = temp*0.0625; //得到真实十进制温度值
//因为DS18B20可以精确到0.0625度
//所以读回数据的最低位代表的是0.0625度
temp = tt*10+0.5; //放大十倍
//这样做的目的将小数点后第一位也转换为可显示数字
//同时进行一个四舍五入操作。
return temp;
}
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