引用第49楼vcasm于2013-08-23 17:05发表的 回 47楼(jeilly6100) 的帖子 :
现在很多diy动辄几百匝的线圈，开路电感值都在200uh以上，而采用的单级电容都在100uf以上，不关断的前提下简单计算都能得出在整个加速耗时需要900us以上。
再推算一下，无论多少级加速，900us每级的加速在有效行程假设50mm的情况下，弹丸完全能够吸收动能，效率100%出口速度也只能做到55m/s，如果需要提升至破百，至少需要每厘米加速耗时在100us以内，而可控硅的V关断需要至少1ms，这显然是很困难的，除非不考虑效率采用很多级的低效不断加速。
IGBT我烧了很多，有一些损毁的经验，最近也重新再次开展了一些尝试，其实IGBT保护电路做好，也很难烧毁，但需要针对线圈炮这样的工作环境针对性的做设计，对于线圈炮这样的方案，除非驱动功率足够强大，否则IGBT务必不能追求导通与关断效率，导通的gR不能太小，经验值至少100欧姆以上，而关断的gR则需要更大，因为IGBT在与高电压大电流的感性负载串联，关断的时间越迅速，GC之间的结电容影响越大，很容易自激振荡，而这种振荡的情况通常IGBT都处于放大区，也就是说耗能都集中在IGBT芯片内部，而关断通常都在电流最大的时候动作，所以很容易烧毁。
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你忽略了个很重要的问题，磁场建立时间和磁场的撤离时间，第一级DD初速为0，初始位置必须在线圈口附近，但后面几级DD有了初速，完全可以在DD未达到线圈口时开通线圈，使DD到达线圈1/4处才达到磁场峰值，磁场建立过程中的电流不是很大，也不会浪费多少能量，而紧密加速的方式，在线圈提前开通建立磁场的阶段也会把前级的磁场中点后移，变相的增大了前级线圈开通的时间
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