1.总感觉磁耦合是个很重要的东西，可是总想不出能提高耦合度的东西，于是放弃了耦合度，改变想法只追求发射速度了。
      2. 我幻想中的下个发射器是这样一个东西，线圈连续绕，长长的，两端在枪口处接一个电容或一个电容组。
      3.下面是分级，在线圈中加入N个光电对管控制可控硅，可控硅阳极阴极接线圈同一个位置（一会画图吧，语言表达能力欠缺）
     4.光电对管被子弹挡住时可控硅导通，把枪尾部的那部分线圈短路，于是电流只能在被导通的可控硅与长线圈的接点前方流通，相当于关断了后方的线圈，于是子弹继续加速，主线圈的电流一直存在，只是流过的线圈随着一个个可控硅的导通在不断变短。因为后方的线圈被导通的可控硅短路了。
    5.合理设计可控硅和相应光电对管（即控制这个可控硅的光电对管）的位置，让子弹总是处于剩下线圈的中部往后靠一点的位置，子弹一直就加速，耦合度会稍高点，光电管触发可控硅后，导通的可控硅不会关断，这正是我们需要的，没什么的。至于合理的位置大致是这样的，假如分4级，子弹开始就处于线圈的中点，假设线圈总长为1，枪口为坐标原点，子弹初位置应处于0.5L处，可控硅均匀分布，第一个可控硅（从枪尾数）相应的光电管是扳机
，第二个可控硅相应的光电管的坐标应是0.375
第三个是0.25第四个是0.125,。也就是线圈总长度减去被第x个可控硅的位置，再除以2.确定位置也不麻烦。

第x个光电
   6.电容就随便加大吧，反正并联的越多越好，电压越高越好。可控硅就随便加吧，越多越好，可它不像加大电容那样简单，弄个十级八级吧。
   7.整个来说是：线圈一次导通，分段关断，通过第5步的设计，比常见的结构更容易使子弹处于剩下线圈的中点位置，（因为线圈很长嘛，所以容易多了）
  8.这种结构可以不考虑可控硅的导通延迟时间，导通稍慢关系不大，大不了影响关断的时间，可以合理设计光电对管和对应可控硅的位置去解决，可控硅的导通延迟在平常的结构中很重要，常常要在子弹还没到前提前导通，也不见得耦合度有多高。这种结构感觉比分段的线圈更容易获得高速。毕竟只要你有大电容，电流还是可以保证子弹一直加速的