GT60N321，硅，N沟沟，IGBT，带阻尼管。
K25T120，硅，N沟沟，IGBT，阻尼？？？
K25T120，硅，N沟沟，IGBT，阻尼？？？
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引用第4楼zxzxz于2010-02-06 19:47发表的 :
场管=IGBT [s:246]
场管= MOSFET =/= IGBT
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引用第5楼=y2k042000=于2010-02-06 19:49发表的 :
场管= MOSFET =/= IGBT
有何不同
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关断上我会用10K电阻接入负并且固定的。但在触发上我记的论坛上有说过要15V才能可靠触发。。。那么我用18V电源经20R电阻去触发总可以了吧。。。现在知道这是IGBT这样就好了。我还以为我弄错了。。
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引用第6楼zxzxz于2010-02-06 20:06发表的 :
有何不同
内部多了一层结构
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引用第5楼=y2k042000=于2010-02-06 19:49发表的 :
场管= MOSFET =/= IGBT
别忘了还有JFET……………………
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大耳stitch [s:94] 那个资料是英语的啊。。我只能是看着猜触发电压是25V左右。关断电压也是。那么。给我个意见。关断的那个电阻用多少的好呢。。电源是12V。看来触上要另外升压一配上个25v电容才行了 [s:245]
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极限25正常12
引用第10楼west_0830于2010-02-06 20:48发表的 :
大耳stitch [s:94] 那个资料是英语的啊。。我只能是看着猜触发电压是25V左右。关断电压也是。那么。给我个意见。关断的那个电阻用多少的好呢。。电源是12V。看来触上要另外升压一配上个25v电容才行了 [s:245]
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12V/b这就好了不用在另外做个电路 [s:92]
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west_0830
学者 笔友
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