您好,请问下,E类的的,MOS管关断时,VDS的电压波形是呈尖峰式的对吧,如果调驱动信号的占空比,输出负载不变,输出电压调整范围怎么样呢(变化明显么,我仿真时候,感觉占空比在30%-50%时,输出没多大的变化,很奇怪)
论坛里的帖子《关于无线供电的一些尝试和疑问》跟我的情况类似。我是想实现较大功率的无线电能传输,也采用E类功放的拓扑。电路图:
其中:MOS为irf3205,vcc为8v,占空比50%频率640kHz方波由MD1211产生,Cs、Cp、Lo都是自行匹配的。
问题:
1.我的Lo使用多股纱包线绕制,Cs、Cp都直接使用的高耐压瓷片电容。看网上一些资料,对器件要求挺高,但目前手头就这些,那么这样使用影响大吗?
2.下面是我在调试挺久后的一个挺有意思的波形情况,其中黄色曲线是驱动信号,蓝色曲线是A点的电压波形。
手机QQ视频_20180225211741.mp4
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2.1刚开始的波形是谐振状态吗?
2.2如果第一个问题是肯定那么是什么导致随着时间通电时间慢慢变长电路会变得不谐振呢?
2.3有一个现象是波形突然变到最大后MOS管开始以较快速度发烫(应该是不谐振导致大部分功率加在MOS管上?)。
上述问题希望大家可以帮忙解答,并提出解决方案来一起讨论。
第一次发帖有不足指出也请指出。
[修改于 6年0个月前 - 2019/01/10 11:47:25]
您好,请问下,E类的的,MOS管关断时,VDS的电压波形是呈尖峰式的对吧,如果调驱动信号的占空比,输出负载不变,输出电压调整范围怎么样呢(变化明显么,我仿真时候,感觉占空比在30%-50%时,输出没多大的变化,很奇怪)
我下载楼主的原理图(2KB?)打开只有很小的一点,看不清。请重新上传
1.针对MOS过热的问题建议先降低开关频率试一试。
2.可能是电感饱和引起的发热,需要查阅资料设计一下器件参数。
这种普通的蓝色高耐压瓷片电容损耗和温度系数都比较大,工作之后温度上升,电容量变小了
1、谐振软开关,工作频率要大于谐振频率。
2、用于谐振电路的电容需要高稳定性的电容,如MLCC中的一类介质电容(NP0,C0G)
3、拓扑有问题,你要用开关去驱动谐振线圈,去看一下QI的标准协议,里面有你需要的所有东西
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