但是我查到光电开关延时的原因是因为光电器件反应慢,这应该属于硬伤吧!难道外部电路结构还能改变它的反应速度?
引用 三水合番:刚才又查了一下,貌似真的是度娘在坑我[s::@],以后查这些东西打死都不用百度!
光电二极管最次也是几个us,慢点的光电三极管也在20us内,1ms不故意整还真不好弄
度娘……显然在坑你,我当初用百度查东西,查了一年愣是没弄明白运算放大器……
千万别用国内搜索引擎,教训呀
引用 595051294:做多级的话都是前面低速的才用可控硅,这时候可控硅响应延迟应该影响不大吧,高速的时候都用IGBT了,IGBT的话用专用IC驱动没有破百根本就不用考虑延时。用单片机的话发射角度对它的影响比较大(做一个用来展示的话应该不错)。如果用单片机加方向感应器结合起来的话就无敌了,想怎么射就怎么射[s::loveliness:]。哪位土豪坛友来试一下[s::lol]
还有个可控硅导通时间,,误差30%~40% 感觉不出来的,lz可以试试第一级和第二级远一点光电触发,后面的单片机延时触发,后面的线圈就可以紧密点了。
引用 liunian198:好吧,其实我是被度娘坑了[s::'(]。呃......比较器怎么弄?
应该没有你说的1ms那么高,不过光电的延时确实存在,解决的办法就是要么用运放或者比较器,要么用单片机或者延时芯片控制启动。
时段 | 个数 |
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{{f.startingTime}}点 - {{f.endTime}}点 | {{f.fileCount}} |
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