看看我做的电磁枪,有图有真相
computerpan2009/11/14电磁炮 IP:广东
无意间看到这个论坛,感觉电磁枪很有意思,看得我手痒痒[s:92]

我做的这个很简单,可控硅直接控制,无关断。
可控硅:70TPS12(70A/1200V)有4个只用了一个
电容:330uf*4=1320uf
线圈:1mm铜线绕了9层,线圈长3cm左右,内径4mm

子弹是钟表起子截的长5cm直径3mm多点,枪管是收音机拉杆天线做的,材质好像是黄铜。还是试验品,比较简单,电容冲到200V(电容耐压问题不敢冲高了),能在1米开外的瓦楞纸上穿个洞,但不能穿透。不过也挺满意了[s:92] 以后继续改进。


发射线圈
54_11297_1183908729.jpg
54_11297_1261108848.jpg
可控硅
54_11297_1160657339.jpg
[ 54_11297_1097398042.jpg
这是逆变器,充电用的 .
54_11297_1013064828.jpg

这是视频 点击此处查看视频
来自:物理高能技术 / 电磁炮
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~~空空如也
小特斯拉圈圈
15年3个月前 IP:未同步
164197
那样的可控硅用来做电磁强我还是第一次见
还有视频的声音像科幻片的..
做的很好
充电很夸张
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west_0830
15年3个月前 IP:未同步
164207
居然是整合成品组成了电磁枪 [s:94]
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computerpan作者
15年3个月前 IP:未同步
164220
引用第1楼特斯拉线圈于2009-11-14 17:51发表的  :
那样的可控硅用来做电磁强我还是第一次见
还有视频的声音像科幻片的..
做的很好
充电很夸张

那是相机变焦的声音[s:92]
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west_0830
15年3个月前 IP:未同步
164235
我这几天在想利用可控硅和电感进行感应式的提前关断动作 [s:245] 升压后的自动发射等呢..淘宝那号给封后.小后买零件居然没人理 [s:261]  [s:246]
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computerpan作者
15年3个月前 IP:未同步
164239
我就不知道可控硅怎么关断,翻了一大半的帖子还是没看明白 [s:94]
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小特斯拉圈圈
15年3个月前 IP:未同步
164243
引用第5楼west_0830于2009-11-14 18:53发表的  :
我这几天在想利用可控硅和电感进行感应式的提前关断动作 [s:245] 升压后的自动发射等呢..淘宝那号给封后.小后买零件居然没人理 [s:261]  [s:246]

小后是什么?
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小特斯拉圈圈
15年3个月前 IP:未同步
164245
引用第3楼computerpan于2009-11-14 18:26发表的  :

那是相机变焦的声音[s:92]

NB
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卡布卡
15年3个月前 IP:未同步
164250
漂亮(指的是蓄电池和升压板) [s:252]
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jrcsh
15年3个月前 IP:未同步
164286
可控硅:70TPS12(70A/1200V)

多少钱一个    我想找A数大大大的  电大  800V~1000V以下的 (因为 常见的电容 也就 450V~ 就见顶的了  在高压的电容价格就高了)
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TUNGUSKA
15年3个月前 IP:未同步
164344
很好,这是本坛出现过的最适合做电磁枪的SCR.
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iamjedi
15年3个月前 IP:未同步
164687
引用第6楼computerpan于2009-11-14 19:07发表的  :
我就不知道可控硅怎么关断,翻了一大半的帖子还是没看明白 [s:94]

可关断晶闸管GTO(Gate Turn-Off Thyristor)亦称门控晶闸管。其主要特点为,当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。 前已述及,普通晶闸管(SCR)靠门极正信号触发之后,撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断,必须切断电源,使正向电流低于维持电流IH,或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路,不仅使设备的体积重量增大,而且会降低效率,产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(GTR),只是工作频纺比GTR低。目前,GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。 可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件,其结构及等效电路和普通晶闸管相同,因此图1仅绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。 尽管GTO与SCR的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态,而GTO在导通后只能达到临界饱和,所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益,βoff,它等于阳极最大可关断电流IATM与门极最大负向电流IGM之比,有公式 βoff =IATM/IGM βoff一般为几倍至几十倍。Βoff值愈大,说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然,βoff与昌盛 的hFE参数颇有相似之处。 下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。 1.判定GTO的电极 将万用表拨至R×1档,测量任意两脚间的电阻,仅当黑表笔接G极,红表笔接K极时,电阻呈低阻值,对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极,剩下的就是A极。 2.检查触发能力 如图2(a)所示,首先将表Ⅰ的黑表笔接A极,红表笔接K极,电阻为无穷大;然后用黑表笔尖也同时接触G极,加上正向触发信号,表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通;最后脱开G极,只要GTO维持通态,就说明被测管具有触发能力。 3.检查关断能力 现采用双表法检查GTO的关断能力,如图2(b)所示,表Ⅰ的档位及接法保持不变。将表Ⅱ拨于R×10档,红表笔接G极,黑表笔接K极,施以负向触发信号,如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置,证明GTO具有关断能力。 4.估测关断增益βoff 进行到第3步时,先不接入表Ⅱ,记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1;再接上表Ⅱ强迫GTO关断,记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。最后根据读取电流法按下式估算关断增益: βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/ K2n2 式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数; K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。 Βoff≈10×n1/ n2 此式的优点是,不需要具体计算IAT、IG之值,只要读出二者所对应的表针正向偏转格数,即可迅速估测关断增益值。 注意事项: (1)在检查大功率GTO器件时,建议在R×1档外边串联一节1.5V电池E′,以提高测试电压和测试电流,使GTO可靠地导通。 (2)要准确测量GTO的关断增益βoff,必须有专用测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同,测量结果仅供参考,或作为相对比较的依据。
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thallium2012
14年11个月前 IP:未同步
190743
线圈匝数太低
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tianyify
14年6个月前 IP:未同步
239012
是电压太低了升到400伏,能量增加四倍。
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花世界
13年2个月前 IP:未同步
335089
厉害,慢慢学习
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飞天狂想
13年2个月前 IP:未同步
335111
引用第10楼TUNGUSKA于2009-11-14 22:58发表的  :
很好,这是本坛出现过的最适合做电磁枪的SCR.

  不是吧,这样的可控硅早就有人用了```当时还有人质疑,详见方旭打鸟的帖子```
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13851426645
12年0个月前 IP:未同步
484125
是个大块头么!不方便携带吧!
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