有没有可能是这样的：电压提到500V的时候，IGBT首先扛不住烧掉了，然后没法关断，导致线圈上的电流比470V的时候大幅度提高，然后在续流的时候，把二极管干掉了……
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G160N60UFD极限测试遇到的问题
为了在电炮中更好的使用G160N60UFD,对此元件在电炮电路中进行耐压和过流的测试，力求接近元件的参数极限。
如图，线圈内阻3.9Ω，电容450V3300uf,IGBT的G极输入一个宽度30ms的方波脉冲信号，逐步升高电容电压。电容电压升高到470V时工作正常，在下一步电压加到500V时，IGBT炸碎，同时发现续流二极管也击穿了，但是二极管的外观还是良好的。产生了一个疑问，为什么IGBT和二极管会同时损坏?实在想不通，希望有经验的坛友帮忙分析一下。后续更换元件继续测试
G160N60UFD内部集电极和发射极之间是有一个二极管的，忘了画上去了。
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如图，线圈内阻3.9Ω，电容450V3300uf,IGBT的G极输入一个宽度30ms的方波脉冲信号，逐步升高电容电压。电容电压升高到470V时工作正常，在下一步电压加到500V时，IGBT炸碎，同时发现续流二极管也击穿了，但是二极管的外观还是良好的。产生了一个疑问，为什么IGBT和二极管会同时损坏?实在想不通，希望有经验的坛友帮忙分析一下。后续更换元件继续测试
G160N60UFD内部集电极和发射极之间是有一个二极管的，忘了画上去了。
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应该不是这个原因，又加了一个二极管，目前509V能工作了，一个脉冲之后电容还有455V电压，怀疑是二极管的问题，后续继续提高电压和电流测试效果。这个问题还是想不通，暂且认为是二极管的问题吧。
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要测试IGBT，就把二极管换成更大，耐压更高的吧，
就像用示波器测一个波形，采样率至少要比被测信号高一个数量级。
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呃，，这个比喻好像不大合适，但大体上就是这个意思啦。。
线圈的电感量，也要考虑的吧
线圈的电感量，也要考虑的吧
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嗯，怀疑是二极管耐压不够，IGBT导通后二极管击穿，导致IGBT在电流上升过程过流炸碎，因为是二极管先击穿的，所以二极管没有炸碎。现在用两个二极管串联确实好了。
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不光是二极管的耐压。要看你关断之后电容的电压，电压越高线圈在关断时储能越大，通过二极管的电流也越大，这个问题我遇到过
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HER608的反向恢复速度（75ns）比FR607（300ns）是快很多，但是峰值电流承受能力（200A）又不如FR607（300A）了，通态压降（1.7v）也比FR607（1.3v）高，所以相同电流下HER608比FR607的功耗大了不少，假如峰值电流>200A了，那HER608容易坏；如果都在200A以内，峰值持续时间一长还是HER608先承受不了；唯一的好处是HER608恢复时间快一点，但是G160N60的关断时间也要122-250ns，优势不明显，所以综合起来感觉还是低压降的并能承受峰值大电流的FR607好点。
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谢谢建议，续流电流是比较大，我用六个IGBT并联驱动粗线圈，发现二极管瞬间就击穿了，当时17600uf的电容充到了460V，触发IGBT之后接续流二极管的一截0.5方电线瞬间炸没了，就剩下一点线皮，耳鸣不止，同时IGBT击穿，现在用峰值500A的RHRG75120续流，暂时没出问题，目前关断电流应该有1200A以上了，感觉还能再提高。
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