@baiwenglong @左哥 谢谢[s:7]另外，对我的新想法有何看法？
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对于ZVS原理分析实验的错误进行重新实验
本帖最后由 caesar_king 于 2014-1-20 13:59 编辑
昨天发的帖子，负载用两个100uH铁粉芯磁芯代替。
铁粉芯磁芯高频性能不好，而且ZVS在工作时两个绕组是缠在同一个铁芯上的。二者之间有一些影响不能单纯用铁粉芯代替。此处是我忽略了。
此处造成了昨日测量数据并不准确。
十分感谢@左哥 把我的错误挑出来。
但由于我的4668已经烧坏，故不能重复分析发热的实验。望@虎哥 帮助。
只能重新做ZVS原理分析的实验。
今天上午，开始试验
![nEO_IMG_DSC_1302.jpg]()
管子用260，所有条件于昨天相同。负载更换，用一个变压器做负载，磁芯EC40，初级绕组0.65mm漆包线两股并绕5T+5T，次级绕组0.65mm漆包线单股25T，次级经FR307整流桥整流，连接一个MKP做滤波电容，用两个10K电阻放电做负载。
用示波器观察了D极和G极波形。
![nEO_IMG_DSC_1313.jpg]()
小平台仍然存在，但比较昨天的波形，好了很多，我听取@虎哥 的建议，通过示波器的数学功能直接测量了GS的电压。探头是十倍衰减的，通过示波器，测出小平台的电压是3.6V。
FR307的压降应该小于2V，所以推翻昨天的推论，平台的产生原因并非由于FR307压降。
相反，3.6V是MOS门极的导通电压。所以小平台的出现，一定与MOS导通和关断有关。
我又测量了另一只MOS平台的电压，发现是4V。这正符合MOS有误差的情况。
![nEO_IMG_DSC_1314.jpg]()
分析一只MOS的DG两极。
![nEO_IMG_DSC_1316.jpg]()
下降沿平台的开始与MOS关断在同一时间上。而MOS的G极上升图像上也出现了平台，这个上升平台的开始意味着下降沿平台的结束。
![nEO_IMG_DSC_1317.jpg]()
下降沿结束时，上升平台也结束。
两个平台相互交接，而且时间相等。
![nEO_IMG_DSC_1310.jpg]()
这个是MOS1的D极和MOS2的G极图像。由此图像看出，上升平台和下降平台完全重合。而且在MOS1没有完全导通时，MOS2就已经关断，中间还是会造成一段时间的不导通状态，两个MOS都处于关断状态。
于是给出如下解释：
MOS1的G极由于谐振被泄压，小于MOS1的导通电压瞬间，MOS1关断，同一瞬间MOS2的控制电路充电。此时MOS2还没导通，两MOS均在关断状态。因为关断，二极管泄压能力会呈下降趋势但还有泄压能力，理由是电容也同时开始充电，而且470电阻还在不断充入电能，此时电容充满电，LC谐振不能继续进行，所以出现一个小平台。（我想，这时应该不会平衡，所以把图像放大，这个平台应该是有上升或下降趋势。@虎哥 请科创仪表局帮忙证实。）
当MOS2的控制电路达到导通电压瞬间，MOS2导通。电容被放电，前一个LC谐振回路波形继续，MOS1的G极也得以继续泄压。而在电容一侧脚完全放电之前，新一轮的LC谐振不得继续，所以出现了上升沿平台。
——————END——————
昨天发的帖子，负载用两个100uH铁粉芯磁芯代替。
铁粉芯磁芯高频性能不好，而且ZVS在工作时两个绕组是缠在同一个铁芯上的。二者之间有一些影响不能单纯用铁粉芯代替。此处是我忽略了。
此处造成了昨日测量数据并不准确。
十分感谢@左哥 把我的错误挑出来。
但由于我的4668已经烧坏，故不能重复分析发热的实验。望@虎哥 帮助。
只能重新做ZVS原理分析的实验。
今天上午，开始试验
管子用260，所有条件于昨天相同。负载更换，用一个变压器做负载，磁芯EC40，初级绕组0.65mm漆包线两股并绕5T+5T，次级绕组0.65mm漆包线单股25T，次级经FR307整流桥整流，连接一个MKP做滤波电容，用两个10K电阻放电做负载。
用示波器观察了D极和G极波形。
小平台仍然存在，但比较昨天的波形，好了很多，我听取@虎哥 的建议，通过示波器的数学功能直接测量了GS的电压。探头是十倍衰减的，通过示波器，测出小平台的电压是3.6V。
FR307的压降应该小于2V，所以推翻昨天的推论，平台的产生原因并非由于FR307压降。
相反，3.6V是MOS门极的导通电压。所以小平台的出现，一定与MOS导通和关断有关。
我又测量了另一只MOS平台的电压，发现是4V。这正符合MOS有误差的情况。
分析一只MOS的DG两极。
下降沿平台的开始与MOS关断在同一时间上。而MOS的G极上升图像上也出现了平台，这个上升平台的开始意味着下降沿平台的结束。
下降沿结束时，上升平台也结束。
两个平台相互交接，而且时间相等。
这个是MOS1的D极和MOS2的G极图像。由此图像看出，上升平台和下降平台完全重合。而且在MOS1没有完全导通时，MOS2就已经关断，中间还是会造成一段时间的不导通状态，两个MOS都处于关断状态。
于是给出如下解释：
MOS1的G极由于谐振被泄压，小于MOS1的导通电压瞬间，MOS1关断，同一瞬间MOS2的控制电路充电。此时MOS2还没导通，两MOS均在关断状态。因为关断，二极管泄压能力会呈下降趋势但还有泄压能力，理由是电容也同时开始充电，而且470电阻还在不断充入电能，此时电容充满电，LC谐振不能继续进行，所以出现一个小平台。（我想，这时应该不会平衡，所以把图像放大，这个平台应该是有上升或下降趋势。@虎哥 请科创仪表局帮忙证实。）
当MOS2的控制电路达到导通电压瞬间，MOS2导通。电容被放电，前一个LC谐振回路波形继续，MOS1的G极也得以继续泄压。而在电容一侧脚完全放电之前，新一轮的LC谐振不得继续，所以出现了上升沿平台。
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米勒效应造成，小平台好像叫米勒平台，开关电源中，影响发热和效率
和手册中的Cgd参数有关
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引用
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楼上NE555说的对 mos在大功率工作时 驱动电路还需要驱动GD之间的电容
ZVS里面的驱动电路只是电阻和对面mos的下拉 内阻应该是比较大的 不能提供很好的驱动 因此这个平台比较大
鬼佬貌似有IC版的ZVS 有没有人尝试过呢
ZVS里面的驱动电路只是电阻和对面mos的下拉 内阻应该是比较大的 不能提供很好的驱动 因此这个平台比较大
鬼佬貌似有IC版的ZVS 有没有人尝试过呢
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额，竟然还有专业名称。。。。
忽然发现昨天分析了半天小平台的形成原因。。。原来早就有专门的现象来解释了
ZVS的驱动电阻确实大。。或许减少电阻，独立驱动会好些吧
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ZVS的驱动电阻确实大。。或许减少电阻，独立驱动会好些吧
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本帖最后由 奶酪 于 2014-1-20 22:20 编辑
自从儿子出世，再没时间捣腾。。。看到近日这两帖，提起了兴趣，顺带发个弄了一半的增强驱动ZVS，带隔离整流输出及限压机制（部分元件及变压器还没上去），小体积专为高压电容设计，只能等有空了再继续～
![2014-01-13_13-48-26_229.jpg]()
![2014-01-13_13-48-50_391.jpg]()
自从儿子出世，再没时间捣腾。。。看到近日这两帖，提起了兴趣，顺带发个弄了一半的增强驱动ZVS，带隔离整流输出及限压机制（部分元件及变压器还没上去），小体积专为高压电容设计，只能等有空了再继续～
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楼主钻研精神可嘉～继续研究可以发现更多有意思的东西～嘿嘿～
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ne555 发表于 2014-1-20 19:50
米勒效应造成，小平台好像叫米勒平台，开关电源中，影响发热和效率
和手册中的Cgd参数有关
原来研究了半天的东西早就有专门的解释了= =还是没做足功课呀= =不过至少发现了这个现象并尝试着解释，最后获得了专业的解释，这个过程就叫学习了
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金坷居士 发表于 2014-1-20 21:41
楼上NE555说的对 mos在大功率工作时 驱动电路还需要驱动GD之间的电容
ZVS里面的驱动电路只是电阻和对面mos ...
那就需要独立的内阻偏小的驱动才能解决这个问题。
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奶酪 发表于 2014-1-20 22:18
自从儿子出世，再没时间捣腾。。。看到近日这两帖，提起了兴趣，顺带发个弄了一半的增强驱动ZVS，带隔离整 ...
我觉得改变了ZVS的驱动，就愈发像半桥了。其实，经典ZVS就是一种自带频率的半桥，我觉得。
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caesar_king 发表于 2014-1-21 10:48
那不就是半桥了？
呃，这两个帖子学到了不少东西，唉，还是知识不足，原来早就有解释了。。。
决定这个假期要把《开关电源设计》看完了，希望能多点知识吧
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金坷居士 发表于 2014-1-20 21:41
楼上NE555说的对 mos在大功率工作时 驱动电路还需要驱动GD之间的电容
ZVS里面的驱动电路只是电阻和对面mos ...
还是继续翻PDF。。。
IRFP250 Ciss 2600pF Qg120nC Qgd64nC
IRFP260 Ciss 4057pF Qg234nC Qgd110nC
IRFP460 Ciss 4200pF Qg210nC Qgd110nCC
IRFP4668 Ciss 10720pF Qg241nC Qgd52nC（典型值）
Ciss均为典型值，其余未注明为最大值（PDF上只有这些了= =）
可以看出250上升沿快是因为Ciss很小，几乎差一半
4668的Ciss则大了一半以上，ZVS驱动内阻大，效率就低了
至于Qgd这个手册上写明”Miller“，4668则最小（虽然是典型值吧，也有可比性啊），效果不好，只能解释为Ciss影响，单独驱动可能会好些呢
250的Qgd仍然很小，可惜电流小，要不然估计效率比260还要高，，，
260的参数还是不错的，用来做ZVS很理想
3205没有查，待会看看
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baiwenglong 发表于 2014-1-21 11:18
还是继续翻PDF。。。
IRFP250 Ciss 2600pF Qg120nC Qgd64nC
IRFP260 Ciss 4057pF Qg234nC Qgd110nC
频率10K的话，应该要算在这个频率上最适合哪个吧，，，如果我要工作频率在1M或者10M，这些都是废管子，你说是么？
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