高压包做得太强悍也不好......我做ZVS有点头疼,16V3cm处开始击穿,有点郁闷......我电容组耐压才21600V,有点恐怖,所以只好用12V驱动了,蛋疼啊..........
引用第5楼359847514于2010-07-27 20:45发表的 :
楼主两个高压包反向并联怎么不用ZVS推呀,555电路只适合推一个或N个同向并联高压包的
引用第8楼hamdad于2010-07-28 11:20发表的 错 :
完整的RCD吸收和阻止管子承受反向电压的电路,适用于MOS、IGBT、双极型晶体管、达林顿模块。
肖特基二极管的额定电流与MOS管匹配,反向耐压没有要求;
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引用第9楼363523943于2010-07-29 00:57发表的 Re:错 :
但我还是不理解d1跟d2是什么作用,您能再说一下么?(从左往又数)
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