楼主只讨论正激类吗？正激类变压器本来就近乎没有功率限制吧。常规应用里都应该是发热限制了功率。那些丧心病狂的电容充电器应该就是用高电流密度达到的小体积，高功率。
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磁芯功率估算公式的疑问？
最近突然对变压器产生的兴趣，对于磁芯功率的计算一直混混沌沌的，网上流行的算法是AP法，P=Ae*Aw,其中P-功率,Ae-磁芯截面积，Aw-磁芯窗口面积，大致意思是说对于一定材质的磁芯，适用的频率范围是确定的，如果频率确定，根据法拉第定律U=△Φ/△t,Φ=BS=B*N*Ae,磁芯的截面积Ae决定了匝数得大小，窗口的大小决定了能采用的导线直径，也就是限制了电流的大小，所以磁芯截面积和磁芯窗口面积决定了最大输出功率的大小。
现在说下我的疑问，AP法的说法是窗口是为了容纳较大直径的导线而保留的，那么如果导线的电流密度可以取的比较大，窗口面积是不是就可以不用保留这么大了呢？我们假设一个场景，有一个固定截面积的环形磁芯，磁芯的直径足够大，按照AP法，我们在保证匝数得情况下只要简单的更换不同线径的导线就可以获得不同功率的输出，如果导线直径一直增加下去，功率是否可以一直增加呢？
对于磁芯功率的算法书本上或者网上一直流行经验公式，但是这个公式的具体理论支持一直是个问题。说下我的看法，对于正激变压器来讲，理想状态是不会饱和的，造成饱和的因素，可以参考我的另外一个帖子：XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/65955，如果我的观点是正确的话，可以这样解释一下限制磁芯功率的因素,首先由以下公式:
H=NI/Len
B=μH
H磁场强度，N匝数，I电流，Len磁场路径，B磁感应强度，μ磁导率
对于特定的材料μ是确定的，至少确定在一定范围内，对于相同的漏感NI，磁路长度Len越大，那么漏感NI产生的H越小，又因为μ确定，那么长度越大，越难以达到饱和，此外窗口大的也更利于散热，对外表现就是承载的功率越大。
现在说下我的疑问，AP法的说法是窗口是为了容纳较大直径的导线而保留的，那么如果导线的电流密度可以取的比较大，窗口面积是不是就可以不用保留这么大了呢？我们假设一个场景，有一个固定截面积的环形磁芯，磁芯的直径足够大，按照AP法，我们在保证匝数得情况下只要简单的更换不同线径的导线就可以获得不同功率的输出，如果导线直径一直增加下去，功率是否可以一直增加呢？
对于磁芯功率的算法书本上或者网上一直流行经验公式，但是这个公式的具体理论支持一直是个问题。说下我的看法，对于正激变压器来讲，理想状态是不会饱和的，造成饱和的因素，可以参考我的另外一个帖子：XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/65955，如果我的观点是正确的话，可以这样解释一下限制磁芯功率的因素,首先由以下公式:
H=NI/Len
B=μH
H磁场强度，N匝数，I电流，Len磁场路径，B磁感应强度，μ磁导率
对于特定的材料μ是确定的，至少确定在一定范围内，对于相同的漏感NI，磁路长度Len越大，那么漏感NI产生的H越小，又因为μ确定，那么长度越大，越难以达到饱和，此外窗口大的也更利于散热，对外表现就是承载的功率越大。
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