本来还以为你挺能动脑钻研的，现在居然这样伸手的问问题。
我觉得上面几个问题基本没有所谓的“高手”会正面回答你，因为当你掌握了电学知识的基础后你自然会了解了。
我不希望你马上去动手实验，因为这涉及到强电。电学知识的不稳固可能会造成安全方面的事故发生。
我觉得上面几个问题基本没有所谓的“高手”会正面回答你，因为当你掌握了电学知识的基础后你自然会了解了。
我不希望你马上去动手实验，因为这涉及到强电。电学知识的不稳固可能会造成安全方面的事故发生。
29591
%7B%22isLastPage%22%3Atrue%2C%22notes%22%3A%5B%5D%2C%22pid%22%3A%22t29591%22%2C%22tid%22%3A%2229591%22%2C%22mainForumsId%22%3A%5B%2237%22%5D%2C%22categoriesId%22%3A%5B%2249%22%5D%2C%22tcId%22%3A%5B%5D%7D
%7B%22isEditMode%22%3Afalse%7D
什么样的全桥最完美？
1、r1和1n5819 的作用，如何确定r1数值。
2、电源滤波电容的数值，如何确定，st的滤波电容那么大，他是在推IGBT模块吗？
3、c2吸收电容是工作在高频环境吗？大小如何确定，用何种类型（耐压）电容好，mkp安规可不可以。
4、这个图推塑封40n60 IGBT管合适不？ 如果换成mos IRFP460 用不用改动？
5、磁环的绕制对匝数（不是匝数比）等规格有没有严格的要求。
我伸手了，我有罪。。。
问题很典型
1、r1和1n5819 的作用，如何确定r1数值。
阻止驱动GS振铃。延迟管子开启。一定程度上防止出现共态。
2、电源滤波电容的数值，如何确定，st的滤波电容那么大，他是在推IGBT模块吗？
越大越好，多个电解并联，有利于降低内阻，提高高频响应。一般100UF/100W
3、c2吸收电容是工作在高频环境吗？大小如何确定，用何种类型（耐压）电容好，mkp安规可不可以。
吸收桥翻转时候线圈，以及布线导致的尖峰。安规尚可，高频特性要好，无感。金属化聚丙烯或云母电容 dv/dt > 500V.品牌：CDE
4、这个图推塑封40n60 IGBT管合适不？ 如果换成mos IRFP460 用不用改动？
可行。至于MOS ，线性内阻存在。若是零电流关断，MOS 可行。
5、磁环的绕制对匝数（不是匝数比）等规格有没有严格的要求。
选用ui >150以上 ，15V 驱动绕15T
1、r1和1n5819 的作用，如何确定r1数值。
阻止驱动GS振铃。延迟管子开启。一定程度上防止出现共态。
2、电源滤波电容的数值，如何确定，st的滤波电容那么大，他是在推IGBT模块吗？
越大越好，多个电解并联，有利于降低内阻，提高高频响应。一般100UF/100W
3、c2吸收电容是工作在高频环境吗？大小如何确定，用何种类型（耐压）电容好，mkp安规可不可以。
吸收桥翻转时候线圈，以及布线导致的尖峰。安规尚可，高频特性要好，无感。金属化聚丙烯或云母电容 dv/dt > 500V.品牌：CDE
4、这个图推塑封40n60 IGBT管合适不？ 如果换成mos IRFP460 用不用改动？
可行。至于MOS ，线性内阻存在。若是零电流关断，MOS 可行。
5、磁环的绕制对匝数（不是匝数比）等规格有没有严格的要求。
选用ui >150以上 ，15V 驱动绕15T
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
并不是我要打击你，能问出类似“为何要那么大的容量”“耐压应该是多少”这类的问题说明你完全没有理解这个回路如何运作，哪边走的是强电哪边走的是弱电。
细节方面先不谈，退一步说即使是粗心一下，将强电的线搭到了弱电上，那后果也不是能一笑而过的。
细节方面先不谈，退一步说即使是粗心一下，将强电的线搭到了弱电上，那后果也不是能一笑而过的。
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
引用第2楼joyeep于2010-09-29 14:49发表的 :
问题很典型
问题很典型
.......
2:这个电容的确是越大越好，但还不至于多个并联……这是个交流电的滤波电容，将低频的波尽可能的“直线化”
要求不高的话D14~D18，C2~C3其实去掉也可以
这些耐压要求比较高的。PP电容是尖峰吸收电容，我不管什么安规也好MKP也好CBB也好，主要是要无感。耐压一般取3~5倍，容量在0.22uF左右即可。
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
引用第3楼アストレア于2010-09-29 14:50发表的 :
并不是我要打击你，能问出类似“为何要那么大的容量”“耐压应该是多少”这类的问题说明你完全没有理解这个回路如何运作，哪边走的是强电哪边走的是弱电。
细节方面先不谈，退一步说即使是粗心一下，将强电的线搭到了弱电上，那后果也不是能一笑而过的。
首先这个图推得是40n60 ，滤波电容越大功率越大（这个不是我要问的），我考虑的是管子的承受能力，所以才问“容量为什么那么大”。
吸收电容是用来做吸收的，肯定会受到冲击，问“耐压应该多少”还有用哪类电容，都是担心普通电容承受不住。
好吧，我表达能力不足。。。
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
引用第4楼アストレア于2010-09-29 14:57发表的 :
2:这个电容的确是越大越好，但还不至于多个并联……这是个交流电的滤波电容，将低频的波尽可能的“直线化”
要求不高的话D14~D18，C2~C3其实去掉也可以
这些耐压要求比较高的。PP电容是尖峰吸收电容，我不管什么安规也好MKP也好CBB也好，主要是要无感。耐压一般取3~5倍，容量在0.22uF左右即可。
tvs和桥臂吸收电容知道能去掉，我要求比较高，所以才发这个帖子。
耐压高的你是说mmc 谐振电容吧。容量要满足谐振吧。。。
我们说的的明明是桥臂吸收电容。。。
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
是40n60 ，据说是40n60 模块。
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
2的電容不一定要，看您想要什麼樣的輸出，另外"完美"的全橋只能出現在完美的環境下。
吸收電容耐壓不高的話容易被擊穿，最好用自愈性的電容
還有這圖中那怕您用1F的電容，功率也不會和st相差多少
吸收電容耐壓不高的話容易被擊穿，最好用自愈性的電容
還有這圖中那怕您用1F的電容，功率也不會和st相差多少
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
引用第8楼y2k于2010-09-29 15:16发表的 :
2的電容不一定要，看您想要什麼樣的輸出，另外"完美"的全橋只能出現在完美的環境下。
吸收電容耐壓不高的話容易被擊穿，最好用自愈性的電容
還有這圖中那怕您用1F的電容，功率也不會和st相差多少
谢谢y2k指教，“什么样的输出”具体指什么？ 自愈电容？指启动电容？ 有点乱，您说的是桥臂电容吧？
我果断的逃课坐等y2k 回复。。。话说你们怎么都不在？不是上学吗？
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
2的电容是50Hz交流电桥整后的滤波，再大也没什么冲击不冲击的说法……
吸收电容的确用自愈的好，但一般情况下也没那么容易击穿。按HBI的说法是无感即可，因为就算有那么每个波上一两个尖峰波也不至于很快很彻底的损坏电容(除非相差太大，连电源电压都承受不住)
吸收电容的确用自愈的好，但一般情况下也没那么容易击穿。按HBI的说法是无感即可，因为就算有那么每个波上一两个尖峰波也不至于很快很彻底的损坏电容(除非相差太大，连电源电压都承受不住)
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
晕了，你们说的是2电容。。我说的是图上的c2。。。
吸收电容用自愈的？就是电机启动电容吗？ 这个我这里好多好多的哇[s:252]
吸收电容用自愈的？就是电机启动电容吗？ 这个我这里好多好多的哇[s:252]
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
LZ应该先看点电子学方面的基础知识。。。。DR炸起来很容易的。。。。
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
其实过分追求完美并不是个好事！
有些东西我们是必须经历过才能明白他的道理的！
玩电子的哪有不炸管不烧零件的？
但是怕的是你连怎么炸的怎么烧的都不知道，甚至一味的盲目试验，结果肯定是失败的！
自己研究出来东西才是乐趣～
有些东西我们是必须经历过才能明白他的道理的！
玩电子的哪有不炸管不烧零件的？
但是怕的是你连怎么炸的怎么烧的都不知道，甚至一味的盲目试验，结果肯定是失败的！
自己研究出来东西才是乐趣～
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。