对比boost效率高，主要得益于薄膜电容内阻低，但也有另一个因素，就是与脉宽和线圈有关。线圈电感量虽然更低了，但是也更短了，以致于时间常数τ=L/R不变或者高一些，脉宽也更小，即半波的角频率ω增高，线圈的品质因素Q=ωL/R=ωτ也增加（导致内阻损耗的比例更低）。

另外，是不是也因与波形有关，比boost更贴近正弦半波而引起的效率上涨，暂时没法下定论。

PS：经典薄膜磁阻暂时还没有传统薄膜磁阻的说法。在这之前圈内极为罕见的形式。