哟!不错哦,难得在电炮版见到带这么多参数的实验帖。
“击穿”指的是啥?开关烧毁吗?
有更详细的数据吗?比如线圈的线径,内外径和电感,弹丸参数之类的。
另外,“用互感器测量脉冲电流的峰值”是咋做到的?楼主有示波器吗?
“击穿”指的是啥?开关烧毁吗?
有更详细的数据吗?比如线圈的线径,内外径和电感,弹丸参数之类的。
另外,“用互感器测量脉冲电流的峰值”是咋做到的?楼主有示波器吗?
引用 三水合番:是的,用互感器和示波器,击穿是指过流烧毁
哟!不错哦,难得在电炮版见到带这么多参数的实验帖。
“击穿”指的是啥?开关烧毁吗?
有更详细的数据吗?比如线圈的线径,内外径和电感,弹丸参数之类的。
另外,“用互感器测量脉冲电流的峰值”是咋做到的?楼……
引用 WGC03:这实验…真是下了大价钱……
是的,用互感器和示波器,击穿是指过流烧毁
引用 WGC03:话说,304没有铁磁性吧……能发射出去吗?
材质为304不锈钢
引用 三水合番:回复1:对,从160v开始调,每次间隔为2v左右
这实验…真是下了大价钱……
是逐渐提高电容电压直到把开关烧毁吗?那个电流是两个IGBT的总电流吗?
这个是无关断的还是有关断的?
话说,304没有铁磁性吧……能发射出去吗?
引用 三水合番:为了推进电炮的发展...
这实验…真是下了大价钱……
引用 电容炸你一脸:想复杂了...那红线蓝线接的是遥控IGBT驱动的输出,那也不是二极管,只是连接两个gate的跳线,上面加了磁环防止干扰
没太看明白图一的电路,那两根细的红线和蓝线分别是干嘛的?蓝线好像接的地,红线好像接的是g级,但为什么红线反向接个二极管呢,控制的电流还能流进去吗?发下实验的电路图呗。
引用 电容炸你一脸:只是这三种保护不同,其他条件一样,至于电感这个,我实验过共模,但其效果远没有差模电感好,可能是因为电流不均使得导磁材料过早饱和而使一部分储能浪费在电感上
楼主的这些igbt有加其他的保护电路吗,还是说只是并联的三种方式不同。看起来用电感扼流的效果比较好,为什么不把两个均流线圈缠在同一个磁环上,还能缩小体积,是用单片机控制的吗?
引用 电容炸你一脸:我也不敢确定这个的原因...
没太看明白图一的电路,那两根细的红线和蓝线分别是干嘛的?蓝线好像接的地,红线好像接的是g级,但为什么红线反向接个二极管呢,控制的电流还能流进去吗?发下实验的电路图呗。
引用 电容炸你一脸:1效果不好指的是效率低了,也就是你说的情况,但这个可以耐受更高电流...2“击穿影响”是什么意思?3没实验过,但磁场反向应该损耗会变大吧?求解
呃,那是小磁环啊,我还以为是二极管。
效果不好是指同电压下出口速度低了吗?
对管子击穿影响大吗?
有没有实验过磁环上反向绕制两个绕组,中间接在一起的情况。
引用 电容炸你一脸:事实上出口速度和威力不能等价...要说动能的话,直接并联最好因为损耗小效率高,但从经济效益上讲...管子更贵点
呃,那是小磁环啊,我还以为是二极管。
效果不好是指同电压下出口速度低了吗?
对管子击穿影响大吗?
有没有实验过磁环上反向绕制两个绕组,中间接在一起的情况。
引用 WGC03:1'击穿影响'我是指的就是你实验的那些啊,极限电压与电流。
1效果不好指的是效率低了,也就是你说的情况,但这个可以耐受更高电流...2“击穿影响”是什么意思?3没实验过,但磁场反向应该损耗会变大吧?求解
引用 电容炸你一脸:1.在避免管子击穿这上,电感扼流是其中最佳的,这在数据上有所显示2.谢谢解答,我去用软件模拟一下看看,而且我还剩几个fgd的管子,可以实际试验一下
1'击穿影响'我是指的就是你实验的那些啊,极限电压与电流。
2.我提的那个绕制方法与接法的磁场是同向的,如果直接在磁环线圈中点抽头的磁场是反向的。根据我的理解啊,如果磁场是反向的,并且输入的电流的大小……
引用 电容炸你一脸:你的方法可能更好...我这种是利用导磁材料的饱和来扼流的,所以我选用的是导磁率高的铁粉芯材料,损耗会大
1'击穿影响'我是指的就是你实验的那些啊,极限电压与电流。
2.我提的那个绕制方法与接法的磁场是同向的,如果直接在磁环线圈中点抽头的磁场是反向的。根据我的理解啊,如果磁场是反向的,并且输入的电流的大小……
引用 电容炸你一脸:解释的很透彻,谢谢
1.没错,我说的同相位电流时产生相反磁场的是共模电感,当两绕组电流不同时,磁场无法完全抵消,那么其电感的感抗变大(原为零),就会起到均衡电流的作用。我是这样理解的,你研究研究,做下实验,我也不是很确定……
引用 ChairmanC:不错,arduino的速度在高初速情况下跟得上吗?如果使用模块貌似没什么问题了,模块的设计就是用来长时间应对大电流的,赛后能不能把详细数据发上来?期待结果,祝比赛顺利。
我最近也在搞这个项目,要参加比赛,我用的是igbt模块并联4级,arduino控制双电源exb510驱动,自动检错,过流保护,电容用的是日立450v10000uf,90*140规格,炮管循环水冷
引用 ChairmanC:还要注意模块电流上升时间过短容易损坏...你那电容不错...花了多少?用在四级上有点浪费了...
我最近也在搞这个项目,要参加比赛,我用的是igbt模块并联4级,arduino控制双电源exb510驱动,自动检错,过流保护,电容用的是日立450v10000uf,90*140规格,炮管循环水冷
引用 WGC03:110一个,四级已经快做不起了
还要注意模块电流上升时间过短容易损坏...你那电容不错...花了多少?用在四级上有点浪费了...
引用 WGC03:有过流保护的,毕竟那东西炸不起
还要注意模块电流上升时间过短容易损坏...你那电容不错...花了多少?用在四级上有点浪费了...
引用 ChairmanC:每级用一个?我以为共用一个电容...从便携性来考虑不太方便啊,一般的4700uF每级到头了,这还是可关断。另外能说说过流保护怎么做的吗?谢谢
110一个,四级已经快做不起了
引用 ChairmanC:难道过流保护就是电流取样过流后关断IGBT?
有过流保护的,毕竟那东西炸不起
引用 WGC03:是四级共用的,另外过流保护是通过检测栅极和集电极的电位差的异常升高做到的,exb841芯片有自动过流保护的
每级用一个?我以为共用一个电容...从便携性来考虑不太方便啊,一般的4700uF每级到头了,这还是可关断。另外能说说过流保护怎么做的吗?谢谢
引用 WGC03:一个电容有你脑袋那么大
每级用一个?我以为共用一个电容...从便携性来考虑不太方便啊,一般的4700uF每级到头了,这还是可关断。另外能说说过流保护怎么做的吗?谢谢
引用 ChairmanC:用专用的驱动芯片吧,图腾柱延迟太大了,而且容易受干扰
我现在也在纠结图腾柱用哪两种三极管比较好
引用 ChairmanC:这样...这个芯片功能挺完善
是四级共用的,另外过流保护是通过检测栅极和集电极的电位差的异常升高做到的,exb841芯片有自动过流保护的
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