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~~空空如也
ehco
8年8个月前 IP:贵州
 操作
发表于《浅谈MOSFET短波功放偏压热补偿设计》
引用 hambaby:
公开号 US8130039 B2
发布类型 授权
专利申请号 US 13/223,657
公开日 2012年3月6日
申请日期 2011年9月1日
优先权日 2006年5月17日
缴费状态 已支付
公告号 US8031003,...
呵呵 老兄 美帝这图是不是脱密处理过啊 仔细一看 不对劲啊 不改改没法构成反馈
依靠Q51当二极管用法的话，要求Q51和被偏置管同型号同批次，否则也没啥意义。
还有想请教一下老兄，专利如何保护电路？是对器件型号还是对电路结构进行保护？
163_5252_5db1386ca2e53f8.jpg
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文号 / 818395
ehco
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