我总结一下上面说的：
1：桥类变换拓扑需要有一个死区时间来防止MOSFET上下桥臂的共态导通

所以一般会给出以下解决方案：
1：设置适当大小的死区时间


但是伴随而来的一个重要的问题是：

2：这个死区时间如果取太大会产生过大的反向电流 而且会影响到软开关（注：而不是你说的影响谐振 软开关和谐振并不是一对充要条件）
这张图片可以很形象的给出解释
附原文一段：
If the dead-time is increased beyond this minimal value, the load current is forced to flow through the free-wheel diodes for longer. It should also be noted that the load current increases either side of the zero crossing, so excessive dead-time also makes the diodes see a higher peak current.

原文大意：如果死区时间取过了一个阈值（依据产生的负载电流来定），在较长的一段时间内负载电流被迫从飞轮二极管通过。同时应该说明的是，过大的死区时间会让负载电流在过零点的任意一侧，这样同时会加大流过飞轮二极管的峰值电流。

也就是说过大的死区时间会导致飞轮二极管的负载大大增加 也让损坏的概率大大增加。
所以作者在这里选择了用MOSFET反相 这样可以让死区时间接近零。