刚刚分析了一下IGBT损坏的原因及对策：
1过压损坏：在IGBT由导通转截至时，发射线圈产生高的反向电压击穿IGBT。

  解决办法很简单，在线 圈两端加装吸收电路或并接二极管即可解决。

2过热损毁：IGBT驱动电压过低，导致IGBT导通不完全，处于放大区时间过长，瞬间烧毁内部晶片。

  解决办法：使用标准的驱动电压（18V)，专门设计快速的驱动电路

3过流损毁：IGBT抗过流能力较差。

解决方法：这种情况是最难控制的。
1：增加过流保护电路。上图的过流保护只能起到（个人认为）简单作用，不完美。  
2：想要保证IGBT 可靠工作，还是需要大量理论计算
3：用单片机脉冲调宽。在子弹经过发射线圈时，采用多个窄脉冲，起到限流作用，同时也可以增加软启动在里面