这个方案如果用SCR其实会更简单一些

或许大佬忘了，SCR有个致命的问题，就是di/dt，在功率回路中得串联磁开关，这个轨道炮目前实测可在5μs内上升1000A；

其次就是压降问题，SCR有3V左右的固定压降，损耗比较严重。

为了少给用户添烦恼，省掉了一个按压才开始给电容充电的开关，现在就是在随充随射，如果发生卡弹，那可控硅就会一直有电流，就断开不了了，CCPS可能会过热失效。

如果MOSFET关断速度太快，这个尖峰会太高，如果太慢，会由于Cis和Cos之间的耦合产生震荡

目前把栅极电阻控制在1kΩ以内，倒没观察到这个问题，其实栅极电阻在150Ω左右，产生的尖峰就不足以击穿MOS了。