好久没上论坛，仔细看了帖子，

这个方案如果用SCR其实会更简单一些，在这种应用里MOSFET选型和关断电阻要求比较高

甚至要为特定输出负载电感匹配调试出一个最佳的参数，

还有这个绿圈部分，设计引线，是为了控制总回路电阻吗？

如果是用来控制峰值电流，建议减少电容的满充电压，取消这段走线，

这种应用的失效还有有一种非常隐秘的方式，就是Vds震荡通过Cdg反向耦合回来，

如果MOSFET关断速度太快，这个尖峰会太高，如果太慢，会由于Cis和Cos之间的耦合产生震荡

这个时候会在MOS产生不可控的热点，曾经因为这种故障换TVS烧过上百个管子，（一次炸10个）

哎，都是泪。还有当时的截图，特意为了证实原因做失效复现，一张图值30块钱RMB

即使减少了驱动下降速度，也意味着Cis等效阻抗下降了，下拉能力减弱

在这个时候，在第二张图可以会在跨越线性区间的时候，有一个小的抬高阶段。

这个示波器只有8bits 后面用高分辨率看会有小震荡

仿真也能复现这个问题，Cgd耦合回Cgs，加大Cgs也可以减弱，但是无法消除这个效应

本质就是震荡耦合回来了，在驱动上下功夫是没办法改变这个物理结构，

必须把回路电感尽其所能控制小，越小越好，降低或者取消绿圈处的引线的长度，

可以保证峰值电流不变的情况下，寄生电感减小，这个关断尖峰或者说关断震荡的总初始能量会下降。

能让过流极限大大增加。