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~~空空如也
rb-sama
3个月3天前 IP:湖北
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发表于《[连载]EP-65：一台高压电磁发射器是如何炼成的》

image.png

设置语句.model MyDiode D(Ron=0.001 Roff=10Meg Vfwd=0V Vrev=400V )

可以轻松设置理想二极管导通内阻在1mR，或者0mR

image.png

功率损耗主要流失在MOS和线圈内阻，D1在低功率CCM条件下会让效率更低

这个也是在真实开关电源设计时候需要注意到的，不过D1的损耗相对功率增长较为线性，为Vfd*IL1，

不太影响最高效率点的位置，按仿真可见最高效率点依然在210欧负载附近取得，


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文号 / 936304
rb-sama
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