赞同，这也是我头疼的问题。

现代电子元件里，低噪声运放的噪声密度标称值能达到0.8nV/Sqrt(Hz)左右，比如LT1028/LT1128、OPA211之类的，对应大概10uV的失调电压；低失调运放能做到2.5uV的失调电压，噪声也能做到5nV/Sqrt(Hz)左右，比如ADA4528、ADA4522、ICL7650之类。这类运放用的是BJT前级，噪声和失调性能相当漂亮，只是输入阻抗、输入偏置电流/失调电流稍微差一点，大多数时候直接用就可以了。

具体到JFET运放，我的调研就不太够，目前对比的是TI的OPA392。该元件的输入偏置电流是10fA，多半是JFET管前级结构（不排除超Beta型BJT管前级的可能性，但MOS管应该不可能），对应4.4nV/Sqrt(Hz) @ 10kHz的噪声和10uV的失调电压。我目前能做到3nV/Sqrt(Hz) @ 1kHz，比这个要稍微好一点，对我自己来说还算是解释的过去。

让我头疼的是，2SK170的噪声标称值是0.95nV/Sqrt(Hz) @ 1kHz，考虑差分方案的话应该在1.33nV/Sqrt(Hz)左右，算是我的方案的理论值。我才做到3nV/Sqrt(Hz)，说明有5倍理论值左右的噪声源在碍事，真是越想越亏。