比较有意思的是本装置在前期的实验中所遇到的一个问题，为此楼主付出了惨痛的代价。

这些都是被强电流损坏的可控硅

在早期的一些参数的线圈（均低于10uH）的实验中，我发现了一个很惊悚的问题，第二级的可控硅，会发生经常性的损坏，隔离二极管也炸了，在一次实验中，全新的可控硅只有一轮就报废，而更糟糕的是，在单级装置上试验相同参数的线圈和电容，可控硅从来没有损坏过。楼主实验设备的局限使得无法更详尽的调查电路中的电流情况，这对问题的排查分析构成了极大的阻碍。（所以真的劝各位不要吝惜荷包，买台好点的示波器！）

直到我在记录的实验视频中发现端倪：

在本图中，装置的前方已经可以看到探出头的电枢，而装置后方的隔离二极管甚至字面意义上的爆炸了！这就让我突然想到了一个在磁阻炮中几乎不可能碰到的小概率问题——前后两级线圈放电的相位差导致的前级电容，向后级电容，在第二级触发后，剩余电量短接放电的问题；而它理论上根本不应该发生，因为第二级线圈显然是后触发的，没有道理第一级的电容还有高于第二级的电压，去构成这个可以通过隔离二极管的正向放电——除非，第二级线圈的电感电阻（或电容），小于第一级线圈达到了一个由级间距和线圈规格决定的临界值，从而使得第二级更快速的放电，第二级电容的电压迅速低于第一级电容，从而引起第一级电容的余电通过隔离二极管向第二级电容短接放电，同时引起隔离二极管的过流炸损，和第二级可控硅的过流损坏（但不确定是超过了单周期最大浪涌，还是长时间的过热）。而这个设计上的纰漏，回溯一下甚至还是本人一开始故意为之的，因为在本人的设想中，电枢本身的dx/dt（v）相对于驱动线圈能提供的的dB/dt以及dB/dx而言是构成了反相关关系的，也就是说对于更快速度的电枢，驱动线圈需要更短波长的电流曲线，那么根据LC振荡的原理，想到降低电感和电容的方式来获得更大的di/dt就是很合理的了，没想到，这个设想最终会以这样的方式暂时破灭。（当然，在可期待的改进中，可以有很多方式来满足完美的适配，除了通过计算仿真以及实验取得精确的临界值以外，也可以通过串联电阻给隔离二极管这样的方式缓解）