这里面其实隐藏了一个重要条件，比如反激类拓扑

是励磁后储存的磁能，转换为电能向电容充电完成磁复位，

从磁平衡角度看，当输入PWM驱动波形给定的情况下，单周期给磁芯灌入的能量是恒定的

无控反激类，可以做到天然恒功率，

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当给反激加反馈之后，当电容电压越来越高，由于伏秒平衡Vc*tc=Vcapacitor*tx ，tx会越来越小，

（上面的等式中还有一个tc=1/f-tx的关系，此时工作在临界模式，是ΔB和励磁电流利用率最大的情况。）

允许输入更长周期的能量励磁（在磁饱和之前），

这样就允许通过改变开关频率，在电容充电初期的阶段功率较小，后期功率较大。

整个电路对负载表现出来的特性是恒流的。

这种工作情况下，当励磁电流设计在磁芯片的临界饱和点时，已经把磁芯这个储能介质利用到极限。

并且恒流源对电容充电损耗是固定的，I^2R 不存在恒压源初期超大电流的情况

所以反激类充电电源在CCPS里面是最多的，因为拓扑较易于实现

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优化目标应当是确定充满时间下的最小电源功率，或确定电源功率下的最小充电时间。

如果要确定前者，可以通过终点充电电压、确定磁芯尺寸

后者恒流源充电时间可以用很轻松算出来