加二极管是可以解决问题,具体可以参考@三水合番的这个帖子
一个方案:使用电解电容的无关断,有能量回收的磁阻式 - 科创网 (kechuang.org)
这个方法可以解决电容反充,应当注意的是,使用这种方法的时候,由于续流电流也非常大,
对于正弦波LC驱动来说,左半部分正弦波正周期,和右半部分正弦波周期是相等的,所以1KA的电流就要用1KA的二极管。
另外就是内阻问题了,因为要求反复放电续流,所以能尽可能低内阻用薄膜电容会好得多,毕竟多级只用一个,
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这种结构在我设计讨论的时候就出现在设计稿里
它可以正常完成关断和回收过程没问题,和主楼电路的区别是需要两条功率母线,一条中性总线
可以继续减少两个开关管的数量,但是应该被注意的是,主楼的电路有进一步的改进意向是可以支持IGBT作为可控开关
当使用IGBT作为全桥的时候,根据讨论的内容,可以实现PWM对回路进行恒功率激励的过程,
也就是说,利用可变的脉宽对LC回路进行能量补充,这样就不会有谐振过高的情况出现,也实现了全程闭环可控
如果考虑到拓扑的通用性因素而言,这样这张图对于每一个功率节点都需要使用一对二极管(手绘图标蓝)
多少级就需要多少N*2对二极管来完成主回路IGBT关断后续流继续的通路,而主图只需要4个反并的公共续流二极管即可
这样就需要从线圈炮的线圈,引伸出N条二极管走线来提供续流回路,
这种变体节约2*SCR,多一个中性总线,在无关断纯SCR的线路中是可行的,完全OK
考虑到通用性,特别是进阶调功的应用,应选用全桥作为激励,会更加易于工程实施和走线。
如果希望降低成本极简控制,讨论就可以到此为止了,没有二极管、隔离电源和单片机,主电容可以选用250v4400uf的。这种我觉得叫X桥更合适。
没什么器件能承受那么高的电压,igbt也才650v。如果真这样做等同于给半桥增加过载保护不至于生抗峰值电流,但不会比boost优秀太多。