更正：上述我的回复已被自己证明是错误的，但我仍保持scr扩展选择的思想。

正文最后整理的拓扑无疑是正确的，兼顾当前两种主流方案的特点。这个拓扑克服了boost每级容量不能过大的问题，可以近乎无限制的选择更大的电容。使用单个开关的boost关断时反偏电压为两级电容之差，因此必须巧妙设计，局限性较大。而这个用两个开关的则仅为吸收电容的电压。

即使是这样，只用两个电容虽然可以在其中搭建多个电路并互相运作，但在连续使用时电容正极容易构成回路而造成混乱，所以仍至少需要搭建3相（真眼熟，之前没理解这些问题真是可惜了）。

这个类似半桥的拓扑也可将那一个线圈替换为扩展电路来节省管子，但我将不再尝试，而是完成当前的半桥。使用巨大的电容时boost的优势不再显著突出，但仍有效果。