三水的评价对于磁阻应用来说是较为正确的，但未免有些保守。

所以这个回复的前半部分我们尚且讨论磁阻应用中的问题吧。

在这样看似理想化的前提下：

此时每级导通前后电容电压基本不变

由于爱好者制作对于成本和体积的要求，这样的情况在实际的磁阻应用中是不常出现的。

那么

这篇文章的拓扑反向电压等于正向电压，都不会比半桥更快

这样的结果往往不会出现。

另外，设计回路时显然不能只注意电流在关断过程中的变化。

“并联电容的半桥”相对于“boost及其衍生”结构的一大差异是全发射过程中各级分配到电压的变化趋势，前者是逐级下降的，而后者多是上升的。这一参数决定了后级绕组电流的上升速度，而不论电炮种类，绝大多数应用中都需要这一参数逐级递增，这对于当下我们追求的紧密加速、高出口动能都是有益的。虽然降低绕组电感和降低回路串联电阻也可以达成一样的结果，但往往会产生其他问题。

不同的设计会有不同的性能与成本要求，这一点上大家根据需要自行选择合适的结构即可。

最后，文章前部在明确讨论对象时，我把该文的讨论对象确定为所有“具有绕组线圈、凭借电磁相互作用加速电枢的电磁炮”，只不过举例时举了磁阻应用中的案例，也许造成了一些误解。

在另外一些加速拓扑中，电流的上升和下降率需求比磁阻要苛刻得多，说到这里或许就能明白我为什么需要最后这一种回路结构了。

最后的建议收到了，我尽快改进。