用每级多一个悬浮的IGBT，以及剩余能量变多的代价，换关断时多几十v的压差，性价比有些过低了，不如做成普通的半桥。

半桥关断速度并不比boost慢，如果你把所有电容都并联起来的话。因为此时每级导通前后电容电压基本不变，所以关断时，线圈两端的“反向电压”约等于导通时的正向电压。普通boost的反向电压小于等于正向电压，这篇文章的拓扑反向电压等于正向电压，都不会比半桥更快，至少不会快许多。

而且追求关断速度本身意义就不大，因为关断不是越快越好。让线圈电流瞬间归零，效率是比相对缓慢下降更低的，可以参考这篇帖子：XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/82437 

效率最高的情况是：通过操纵各级线圈的电流，拟合出一个“截面是馒头形的线圈”，并让它始终在弹丸前方和弹丸保持相对静止。关断速度极快时，等效的是“方形的线圈”，效率并不是最高的。

另外，我觉得这种讲拓扑的文章，开篇第一张图就应该是最终的拓扑结构，这张图前面的字越少越好。相关的说明，和需要约定的共识，都应该放在这张图后面。至少不要像现在的顶楼那样，“下面进入正题”之前有600多字…