下面是一种改良方法,来自书呆子提出的:https://www.kechuang.org/t/87720
他的方法我也不知道用什么名字来形容,但是我改进了一下:
图中元件型号参数随意选择,不具有参考性。
使用igbt控制通断,使用scr选择作用的线圈,两个电容互相构成boost回收电路。本质上是二相电机,若是单相则要在线圈上端增加一开关构成半桥。由于电枢运动迅速,二相可能来不及反应,可额外增加相数。igbt的驱动控制电路相当麻烦,因此若能复用开关,就能大大简化电路。
和传统的磁阻炮不同,复用开关和电容需要更大的容量和较低的电压,与高压小容量背道而驰。
之前看到过这个。严格上来说不能够算是拓扑结构的创新,能算做是“boost式”的一类工程优化结果,但依然值得鼓励。
虽然如此,但加入选择功能就已经有质的不同。不妨对比一下各种拓扑达到相近效能需要多少管子和驱动电路,就能从工程上判断优劣
你这…电容能确保不反压?
保护措施当然没画出来,不过如果用完了电那还怎么复用?所以容量要特别大,每炮只能用掉一半电量
你这电容保熟不?
你这个电路建议在电容上都反接个大功率二极管
不但要,还要下拉电阻和瓷片电容,只是没画出这些冗余而已