以前做过类似电路方案，使用的是这个组合：

光耦：HCPL-2630

半桥驱动：IRS2186

IGBT和楼主用的一样：AUIRGPS4067D1（这管子挺好的）

（需要注意IR2186S、IR21867S的引脚顺序，当时JLC的库好像搞错了。）

这个电路测过，没有大问题，但出现过驱动ic损坏情况，没仔细去查。

几个有别于楼主方案的地方：

1、自举

图中CA1即自举电容。

自举电容需要预充电，通常半桥电路工作在PWM状态，在关断区间是可以给自举电容充电的，楼主也提到了。

在磁阻炮的"半桥"电路中，可以单独导通低侧桥臂，同样能给自举电容充电。另外这个自举电容要容量大一些，钽电容挺合适。

2、负压关断（有些细节记不清了，此部分可能有误，之后校对）

图中一堆三极管起到 负压钳位/快速泄放栅极电荷 的效果，参考了这个文章：

基于负压关断和栅极箝位的IR2110驱动电路的设计与研究.pdf 259.86KB PDF 479次下载 预览

实际上只有高侧具有负压关断功能，低侧是0V关断。

电路的具体工作流程是这样的：

开启低侧，自举电容充电——开启高侧，电流上升——关闭高侧，进行下续流——关闭低侧，能量回收

负压关断是为了让igbt快速渡越米勒平台，减小关断损耗。效果差一点的方法是使用三极管，关断时快速泄放栅极电荷。

在此应用中，高侧加负压容易实现，低侧不容易。所以让高侧在大电流下关断，低侧在续流一段时间后再进行关断。

希望有用。