没兴趣看你错误的计算,我又没强求你相信我说的。
但我要对其他读者负责,所以我简单讲一下,BCM模式可以保证最小的Ipk情况下,最大的磁动态范围。
同功率下,Ipk在DCM下比BCM高,而CCM的Irms比BCM高。电流大损耗大,同条件BCM单周期传输能量最大,这其实是个常识。
我从不迷信经典,但是我也不相信LT半导体的人是傻子,会开发BCM而不是DCM/CCM模式用于他的电容充电方案。
给你一个思维方式,研究一个客观问题前先多想想他的底层逻辑,如果不行就仿真一下,这样可以避免你的很多烦恼。
曾是化学爱好者转到火箭爱好者最后变成电子爱好者的科创爱好者。
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