没兴趣看你错误的计算，我又没强求你相信我说的。

但我要对其他读者负责，所以我简单讲一下，BCM模式可以保证最小的Ipk情况下，最大的磁动态范围。

同功率下，Ipk在DCM下比BCM高，而CCM的Irms比BCM高。电流大损耗大，同条件BCM单周期传输能量最大，这其实是个常识。

我从不迷信经典，但是我也不相信LT半导体的人是傻子，会开发BCM而不是DCM/CCM模式用于他的电容充电方案。

给你一个思维方式，研究一个客观问题前先多想想他的底层逻辑，如果不行就仿真一下，这样可以避免你的很多烦恼。